シリコン基板上に形成したBi_4-xLa_xTi_3O_12薄膜の優先配向の結晶化過程における変化
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概要
著者
-
田尻 恭之
福岡大理
-
香野 淳
福岡大理
-
春木 理恵
日本原子力研究開発機構先端基礎研究センター
-
香野 淳
福岡大学理学部
-
香野 淳
福岡大学理学研究科応用物理学専攻
-
田尻 恭之
福岡大学理学部物理科学科
-
隅谷 和嗣
九州シンクロトロン光研究センター
-
隅谷 和嗣
九州シンクロトロン光
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