香野 淳 | 福岡大学理学研究科応用物理学専攻
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概要
関連著者
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香野 淳
福岡大学理学研究科応用物理学専攻
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香野 淳
福岡大学理学部
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池田 弥央
広大院先端研
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広瀬 全孝
産業技術総合研究所
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泊 博幸
福岡大学理学部
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田尻 恭之
福岡大学理学部物理科学科
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西川 武蔵
福岡大学理学部
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田尻 恭之
福岡大理
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香野 淳
福岡大理
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宮崎 誠一
広島大学工学部
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廣瀬 全孝
広島大学工学部
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池田 弥央
広島大学工学部
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村上 秀樹
広島大学工学部
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永田 潔文
福岡大学理学部
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宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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西村 秀紀
福岡大学理学部
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平松 信康
福岡大学理学部応用物理学科
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村上 秀樹
広島大学大学院先端物質科学研究科
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友景 肇
福岡大学工学部電子情報工学科
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春木 理恵
日本原子力研究開発機構先端基礎研究センター
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池田 弥央
広島大学大学院先端物質科学研究科
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廣瀬 全孝
産業技術総合研究所
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平松 信康
福岡大学理学研究科応用物理学専攻
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寺田 貢
福岡大学理学部
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隅谷 和嗣
九州シンクロトロン光研究センター
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永田 潔文
福岡大学理学研究科応用物理学専攻
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平松 信康
福岡大学 理学部
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宮崎 誠一
広島大学大学院
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鈴木 孝将
福岡大学工学部
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眞砂 卓史
福岡大学理学研究科応用物理学専攻
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隅谷 和嗣
九州シンクロトロン光
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高橋 和敏
佐賀大学シンクロ
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池田 弥央
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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村上 秀樹
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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柳生 数馬
福岡大学工学部電子情報工学科
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栃原 浩
福岡大学工学部電子情報工学科
著作論文
- シリコン量子ドットを用いたメモリーデバイスの開発
- シリコン量子ドットフローティングゲートMOS構造の電子注入特性とメモリ機能
- (1)研究科特別経費(研究科分タイプII)研究成果報告 : フェロ材料のナノ・局所構造の解析と物性発現に関する研究
- シリコン量子ドットフローティングゲートMOS構造の電子注入特性とメモリ機能
- 基礎物理教育用電子教材の作成
- シリコン基板上に形成したBi_4-xLa_xTi_3O_12薄膜の優先配向の結晶化過程における変化
- Si基板上に形成した多結晶Bi_La_xTi_3O_薄膜の容量-電圧(C-V)ヒステリシス特性と界面状態の評価(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- Si基板上に形成した多結晶Bi_La_xTi_3O_薄膜の容量-電圧(C-V)ヒステリシス特性と界面状態の評価(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- Si基板上に形成した多結晶Bi_La_xTi_3O_薄膜の容量-電圧(C-V)ヒステリシス特性と界面状態の評価(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- メソ多孔体SBA-15薄膜の形成とメソ細孔構造制御
- (A)研究科特別経費(研究科分)研究成果報告 微小角入射X線回折及びX線反射を用いた超薄膜の構造と物性との相関に関する研究 (高度化推進成果報告)
- (1)研究科特別経費(研究科分タイプII)研究成果報告 : 機能物質のナノ構造とナノ物性の研究
- (1)研究科特別経費(研究科分タイプI)研究成果報告 : スピンポンピング効果を用いたスピン流の発生
- SiC(0001)基板に成長させたゼロ層グラフェンへの銅インターカレーション