宮崎 誠一 | 広島大学大学院 先端物質科学研究科
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概要
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宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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宮崎 誠一
広島大学大学院
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村上 秀樹
広島大学大学院先端物質科学研究科
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広島大学大学院先端物質科学研究科
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広島大学大学院 先端物質科学研究科
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広島大学大学院先端物質科学研究科
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池田 弥央
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広島大学大学院先端物質科学研究科
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牧原 克典
広大院先端研
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広大
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牧原 克典
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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村上 秀樹
Department Of Orthopaedic Surgery Kanazawa University School Of Medicine
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中川 博
広島大学大学院先端物質科学研究科
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奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部
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山田 啓作
筑波大学数理物質科学研究科
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白石 賢二
筑波大学
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柴口 拓
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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岡田 竜弥
琉球大学 工学部
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山田 啓作
早稲田大学ナノテクノロジー研究所
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知京 豊裕
物材機構
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構
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知京 豊裕
金属材料技術研究所
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川口 恭裕
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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広重 康夫
広島大学大学院先端物質科学研究科
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構 半導体材料センター
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鳥居 和功
(株)半導体先端テクノロジーズ
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鳥居 和功
日立製作所中央研究所
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山部 紀久夫
筑波大学
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岡田 竜弥
琉球大学工学部
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岡本 祥裕
広島大学大学院先端物質科学研科
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白石 賢二
筑波大学数理物質科学研究科
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知京 豊裕
物質材料研究機構(NIMS)
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北島 洋
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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東 大介
広島大学大学院先端物質科学研究科
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広瀬 全孝
産業技術総合研究所
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吉永 博路
広島大学大学院先端物質科学研究科
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門島 勝
(株)半導体先端テクノロジーズ
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青山 敬幸
(株)半導体先端テクノロジーズ
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竹野 文人
広島大学大学院先端物質科学研究科
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北島 洋
(株)半導体先端テクノロジーズ
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門島 勝
ルネサステクノロジ
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山部 紀久夫
筑波大学数理物質科学研究科
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有門 経敏
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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赤坂 泰志
東京エレクトロン株式会社
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水林 亘
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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森 大樹
広島大学大学院先端物質科学研究科
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森脇 嘉一
広島大学大学院先端物質科学研究科
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藤竹 正仁
広島大学大学院先端物質科学研究科
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宮崎 誠一
広島大学 工学部
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横井 宏和
広島大学大学院 先端物物質科学研究科
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貫目 大介
広島大学大学院先端物質科学研究科
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大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ
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岡田 竜弥
広島大学大学院先端物質科学研究科
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奥山 一樹
広島大学大学院先端物質科学研究科
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東 清二郎
広島大学大学院先端物質科学研究科
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芝原 健太郎
広大
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渡部 平司
大阪大学大学院工学研究科
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白石 賢二
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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大路 譲
半導体先端テクノロジーズ
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有門 経敏
(株)半導体先端テクノロジーズ
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藤岡 知宏
広島大学大学院先端物質科学研究科
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板東 竜也
広島大学大学院先端物質科学研究科
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清水 雄介
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安部 浩透
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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西谷 純一郎
広島大学大学院先端物質科学研科
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ダルマ ユディ
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広島大学大学院先端物質科学研究科
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古川 寛章
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多比良 昌弘
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長町 学
広島大学大学院先端物質科学研究科
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山岡 真左則
広島大学大学院先端物質化学研究科
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水林 亘
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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奈良崎 昌宏
広島大学大学院 先端物物質科学研究科
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永井 武志
広島大学大学院・先端物質科学研究科
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大路 譲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
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野中 倫明
東京都立大塚病院 外科
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野中 作太郎
九州電気専門学校
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上殿 明良
筑波大数理
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上殿 明良
筑波大学電子物理工学系
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鈴木 良一
産総研
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大平 俊行
産総研
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上殿 明良
筑波大学数理物質科学研究科
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大平 俊行
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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鈴木 良一
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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大塚 崇
筑波大学数理物質科学研究科
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伊東 健一
筑波大学数理物質科学研究科
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梅澤 直人
物質材料研究機構(NIMS)
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犬宮 誠治
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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神山 聡
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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赤坂 泰志
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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山田 啓作
物質材料研究機構(NIMS)
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蓮沼 隆
筑波大学電子・物理工学専攻
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大毛利 健治
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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AHMET P.
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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渡部 平司
大阪大学
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GREEN M.
National Institute for Standards and Technology
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知京 豊裕
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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堀内 淳
(株)半導体先端テクノロジーズ
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松木 武雄
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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中西 敏雄
東京エレクトロンat Spa開発技術部
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三浦 真嗣
広島大学大学院先端物質科学研究科
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鴻野 真之
東京エレクトロンAT SPA開発技術部
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西田 辰夫
東京エレクトロンAT SPA開発技術部
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白石 賢二
筑波大院数物
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鈴木 良一
産業技術総合研究所
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中山 恒義
北大院工
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上殿 明良
筑波大学・物理工学系
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高 文秀
岩谷産業
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香野 淳
福岡大学理学部
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廣瀬 全孝
産業技術総合研究所
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三原 竜善
広島大学大学院先端物質科学研究科
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広瀬 全孝
次世代半導体研究センター
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廣瀬 全孝
広島大学工学部
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芝原 健太郎
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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白石 賢二
筑波大学物理学系
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小埜 芳和
広島大学大学院先端物質科学研究科
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後藤 優太
広島大学大学院先端物質科学研究科
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尉 国浜
広島大学大学院先端物質科学研究科
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佐藤 基之
(株)半導体先端テクノロジーズ
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古川 弘和
広島大学大学院先端物質科学研究科
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加久 博降
広島大学大学院先端物質科学研究科
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杉田 義博
(株)半導体先端テクノロジーズ
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中島 清美
物質材料機構
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知京 豊裕
物質材料機構
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網中 敏夫
(株)半導体先端テクノロジーズ
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黒澤 悦男
(株)半導体先端テクノロジーズ
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松木 武雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
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保坂 公彦
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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保坂 公彦
富士通研究所
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川原 孝昭
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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蓮沼 隆
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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川原 孝昭
(株)ルネサステクノロジ
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赤坂 泰志
(株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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中山 隆史
千葉大学理学部
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中岡 高司
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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中村 源治
(株)半導体先端テクノロジーズ
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太田 晃生
広島大学大学院先端物質科学研究科
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山部 紀久夫
筑波大学大学院 数理物質科学研究科 電子・物理工学専攻学際物質科学研究センター
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山部 紀久夫
筑波大学物理工学系
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中島 清美
物質・材料研究機構
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Boero M.
筑波大学物理学系
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山下 寛樹
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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梅澤 直人
南カリフォルニア大
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佐藤 基之
(株)半導体先端テクノロジーズ (selete)
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中山 隆史
千葉大
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中山 隆史
千葉大学
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中山 隆史
千葉大学理学研究科基盤理学専攻
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網中 敏夫
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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白石 博之
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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細井 卓治
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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加久 博隆
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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寄本 拓也
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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知京 豊裕
物質・材料研究機構
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知京 豊裕
物質・材料研究機構ナノマテリアル研/物質研
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蓮沼 隆
筑波大学 電子・物理工学専攻
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宮崎 祐介
広島大学大学院先端物質科学研究科
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松本 和也
広島大学大学院先端物質科学研究科
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大路 洋
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
武藤 彰良
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
川原 孝昭
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
三橋 理一郎
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構
-
三宅 秀治
エルピーダメモリ株式会社
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犬宮 誠治
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
Green M.
National Institute Of Standards And Technology
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大平 俊行
産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門
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芝原 健太郎
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所:広島大学大学院先端物質科学研究科
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香野 淳
福岡大学理学研究科応用物理学専攻
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青山 敬幸
富士通研究所
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米田 賢司
エルピーダメモリ株式会社 T&D Office, APD Gr.
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堀川 貢弘
エルピーダメモリ株式会社 T&D Office, APD Gr.
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小山 邦明
エルピーダメモリ株式会社 T&D Office, APD Gr.
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細井 卓治
大阪大学大学院工学研究科
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宗高 勇気
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
芝原 健太郎
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
神山 聡
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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須山 篤志
広島大学大学院 先端物物質科学研究科
-
小笠原 優
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
廣瀬 全孝
次世代半導体研究センター
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CHIKYOW T.
National Institute of Materials Science
-
AHMET P.
Tokyo Institute of Technology
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白石 博之
広島大学ナノデバイス・システム研究センター:広島大学大学院先端物質科学研究科
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三宅 秀治
エルピーダメモリ株式会社 T&d Office Apd Gr.
-
三宅 秀治
エルピーダメモリ(株) Technology & Development Office Research & Development Group
-
堀川 貢弘
エルピーダメモリ株式会社 T&d Office Apd Gr.
-
小山 邦明
エルピーダメモリ株式会社 T&d Office Apd Gr.
-
Ahmet P.
物質・材料研究機構
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大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構ナノテクノロジー研究所
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中山 隆史
干葉大理
-
上殿 明良
筑波大学物理工学系
-
松本 和也
広島大学大学院 先端物質科学研究科
著作論文
- 低速陽電子ビームを用いたhigh-kゲート絶縁膜の空隙の評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Ge MISおよびGe/Metal接合の化学結合状態および電気的特性評価 (シリコン材料・デバイス)
- 熱酸化および低温プロセスを用いて形成したGeO_2/Ge構造の界面サブオキサイドの光電子分光分析(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- TiO_2/Pt界面の化学結合および電子状態評価(ショートプレゼンテーション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- プラズマCVD SiNx薄膜の深さ方向化学組成および欠陥密度計測(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- Poly-Si/SiGe/Si積層ゲートにおける原子拡散評価(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- シリコン量子ドットを用いたメモリーデバイスの開発
- Sub-0.1μm nMOSFETにおけるn^+poly-Si側壁/SiO_2界面近傍の不純物空乏化現象の定量評価
- 極薄LaO_xからHfO_2/SiO_2層へのLa原子の拡散(ショートプレゼンテーション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 3.1 熱プラズマによるアモルファスシリコンの結晶化(3.結晶化・相変化制御への応用,熱流を伴う反応性プラズマを用いた材料合成プロセス)
- TiAlN/HfSiONゲートスタックにおけるX線光電子分光分析 : Al拡散による実効仕事関数変化の緩和(メタルゲート/High-k絶縁膜スタック,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Ru/HfSiONゲートスタックのバックサイドX線光電子分光分析 : Ruの実効仕事関数変化の起源(メタルゲート/High-k絶縁膜スタック,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- HfSiON/TiNゲートスタックpMOSFETの陰極電子注入絶縁破壊モデルに基づくTDDB寿命予測方法
- 金属/高誘電率絶縁膜ゲートスタックの光電子分光分析
- ミリ秒急速熱処理におけるSiウェハ内温度変化のその場観測(シリコン関連材料の作製と評価)
- メタルゲート/HfSiONゲート絶縁膜ゲートスタックにおけるピニング現象の改善策検討
- AFM/KFMによるSi量子ドット/SiO_2多重集積構造の帯電電荷分布計測(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- Si量子ドットへのB添加が発光特性へ及ぼす影響(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- 金属/Hf系高誘電率絶縁膜界面の統一理論 : ゲート金属の設計指針(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- Hf系絶縁膜中の水素原子の原子レベルの挙動の理論的研究 : ホールを起源とした絶縁破壊のメカニズム(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- HfO_2系high-kゲート絶縁膜信頼性劣化の物理モデル(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- Ge MISおよびGe/Metal接合の化学結合状態および電気的特性評価(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- HfO_2/Ge(100)構造における光電子分光分析(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- AFM/KFMによるSi量子ドット/SiO_2多重集積構造の帯電電荷分布計測(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- Si量子ドットへのB添加が発光特性へ及ぼす影響(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- 光電子分光法によるHfO_2/SiONx/Ge(100)スタック構造の熱的安定性評価(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- B添加Pd_2Siフルシリサイドゲートの仕事関数変調(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- シリコン量子ドットのフローティングゲートMOSデバイス応用
- SiO_x薄膜の超急速熱処理によるSi結晶形成およびその発光特性評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- PドープSi量子ドットのフローティングゲートへの応用,AWAD2006)
- PドープSi量子ドットのフローティングゲートへの応用
- PドープSi量子ドットのフローティングゲートへの応用
- SiO_x薄膜への熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるSiナノ結晶形成とそのフローティングゲートメモリ応用(ナノ材料・プロセス,機能ナノデバイス及び関連技術)
- SiOx薄膜への熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるSiナノ結晶形成とそのフローティングゲートメモリ応用(ナノ材料・プロセス,機能ナノデバイス及び関連技術)
- AFM/ケルビンプローブ法による孤立Siドット中の保持電荷間のクーロン相互作用の検証(Quantum Devices, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- Si量子ドット立体集積構造の発光ダイオードへの応用(Quantum Devices, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- AFM/ケルビンプローブ法による孤立Siドット中の保持電荷間のクーロン相互作用の検証(Quantum Devices, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- Si量子ドット立体集積構造の発光ダイオードへの応用(Quantum Devices, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 誘電性AFM探針によるゲルマニウムナノクリスタル/SiO_2の局所伝導評価
- 誘電性AFM探針によるゲルマニウムナノクリスタル/SiO_2の局所伝導評価
- 導電性AFM探針による微結晶ゲルマニウム薄膜の局所電気伝導評価(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- 熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理及びポストメタライゼーションアニールを用いた高品質SiO_2膜及びSiO_2/Si界面の形成(シリコン関連材料の作製と評価)
- polySi/HfAlOx/SiONゲートスタックの経時絶縁破壊(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 光照射下におけるSi量子ドットフローティングゲートMOSキャパシタの電荷注入・放出特性(新型不揮発性メモリ)
- Si量子ドットフローティングゲートMOSFETにおける多段階電子注入(新型不揮発性メモリ)
- 光照射下におけるSi量子ドットフローティングゲートMOSキャパシタの電荷注入・放出特性
- Si量子ドットフローティングゲートMOSFETにおける多段階電子注入
- 光電子分光法によるAl_2O_3/SiN_x/poly-Siスタック構造における界面反応評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 低温NH_3処理によるHfO_2/Si(100)構造への窒素導入と化学結合状態評価(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 窒素添加Y_2O_3ゲートスタックにおける化学構造及び電気的特性評価(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- UV-O_3酸化したGe(100)およびSi(100)表面の光電子分光分析(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- HfO_2/SiN_x/Si(100)スタック構造における界面酸化反応評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 導電性AFM探針による微結晶ゲルマニウム薄膜の局所電気伝導評価(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- AIO_x:N/Si(100)界面の熱的安定性評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- ZrO_2/Si(100)系の界面遷移層評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Y_2O_3/Si(100)系のエネルギーバンドアライメントの決定(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- NiSi/SiO_2界面近傍の化学結合状態およびNiSi層の実効仕事関数評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Poly-Si/SiGe/Si積層ゲートにおける原子拡散評価(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 分子層制御CVDによるAlO_x:Nゲート絶縁膜の形成と電気的特性評価
- CVD AlO_x : N/Si(100)ヘテロ接合における化学結合状態分析とエネルギーバンドプロファイルの決定
- 積層構造Si量子ドットフローティングゲートMOSキャパシタにおける電荷注入・放出特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 積層構造Si量子ドットフローティングゲートMOSキャパシタにおける電荷注入・放出特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- Si量子ドットフローティングゲートMOSFETにおける動作解析(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- Si量子ドットフローティングゲートMOSFETにおける動作解析(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- ジルコニウム酸化膜/シリコン界面の障壁高さ及び欠陥密度評価
- SiO_x薄膜への熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるSiナノ結晶形成とそのフローティングゲートメモリ応用
- SiO_x薄膜への熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるSiナノ結晶形成とそのフローティングゲートメモリ応用