光電子分光法によるAl_2O_3/SiN_x/poly-Siスタック構造における界面反応評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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N_2雰囲気下での熱処理(N_2-PDA)が、Al_2O_3(5nm)/SiN_x(1.7nm)/poly-Siスタック構造の化学結合状態及び電子状態に与える影響をX線光電子分光法(XPS)及び光電子収率分光法(PYS)により分析した。熱処理温度が上昇するに伴いN_2-PDAによるAl_2O_3膜の緻密化は進行するが、700℃以上のN_2-PDAの場合、Si原子がpoly-SiもしくはSiN_x層からAl_2O_3表面近傍まで拡散・混入し、800℃ N_2-PDAではSi原子に加えN原子もAl_2O_3膜中へ拡散することが分かった。PYS分析により電子占有状態の欠陥準位密度を定量評価した結果、N_2-PDAによるAl_2O_3膜の緻密化で、電子占有欠陥は低減するが、800℃ N_2-PDAでは、PDAによる欠陥の生成、特にAl_2O_3/SiN_x界面近傍で欠陥が増大することが分った。表面側の欠陥が低減することが分った。この欠陥密度の低減には、界面反応による組成ミキシングが関与している可能性が高い。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-06-14
著者
-
宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
大田 晃生
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
村上 秀樹
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
中川 博
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
三宅 秀治
エルピーダメモリ株式会社
-
古川 寛章
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
多比良 昌弘
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
米田 賢司
エルピーダメモリ株式会社 T&D Office, APD Gr.
-
堀川 貢弘
エルピーダメモリ株式会社 T&D Office, APD Gr.
-
小山 邦明
エルピーダメモリ株式会社 T&D Office, APD Gr.
-
宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
三宅 秀治
エルピーダメモリ株式会社 T&d Office Apd Gr.
-
三宅 秀治
エルピーダメモリ(株) Technology & Development Office Research & Development Group
-
堀川 貢弘
エルピーダメモリ株式会社 T&d Office Apd Gr.
-
小山 邦明
エルピーダメモリ株式会社 T&d Office Apd Gr.
-
村上 秀樹
Department Of Orthopaedic Surgery Kanazawa University School Of Medicine
-
宮崎 誠一
広島大学大学院
-
米田 賢司
エルピーダメモリ株式会社 T&d Office Apd Gr.
-
村上 秀樹
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
大田 晃生
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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