積層構造Si量子ドットフローティングゲートMOSキャパシタにおける電荷注入・放出特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
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概要
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減圧CVDによるSi量子ドット形成と表面酸化を繰り返すことにより、極薄ゲート絶縁膜(SiO_2)上にドット密度1.6-4.8×10^<11>cm^<-2>のSi量子ドット構造を形成し、フローティングゲートとしたMOSキャパシタを作製した。p型基板MOSキャパシタの容量-電圧特性により、ドット密度増加に供なってフラットバンド電圧シフト量は増加し、蓄積容量は減少する。フラットバンド電圧以下での領域において、電荷的に中性なドットからの価電子放出によるC-V特製の電圧シフトは観測されるものの、ヒステリシスは認められなかった。これはトンネル酸化膜が2.8nmと非常に薄いため、ドットに注入した電子とドット内の正孔が容易に再結合するためと考えられる。またSi量子ドットを積層構造にすることにより、電荷保持特性が向上することが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-06-25
著者
-
宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
村上 秀樹
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
池田 弥央
広大院先端研
-
池田 弥央
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
柴口 拓
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
宮崎 誠一
広島大学大学院
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