光照射下におけるSi量子ドットフローティングゲートMOSキャパシタの電荷注入・放出特性

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概要

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• 2005-03-04

著者

• 宮崎 誠一

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 東 清一郎

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 池田 弥央

  広大院先端研

• 池田 弥央

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 柴口 拓

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

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