マイクロ熱プラズマジェット照射によるポーラスシリコン層上Si膜のエピタキシャル成長(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
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概要
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ポーラスシリコン(PS)層上に堆積したアモルファスシリコン(a-Si)膜を大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射により結晶化した。多孔度及びPS層厚増加に伴う熱拡散の抑制により、PS層上a-Si膜は容易に溶融再結晶化した。多孔度42%、PS層厚20.8μm以上のPS層上a-Si膜は走査速度4000mm/sの高速条件において溶融再結晶化し、結晶化率100%の高結晶性を示した。また、PS層上結晶化Si膜は石英基板上Si膜と比べ低い応力であることが示唆された。電子後方散乱回折(EBSD)パターンからPS層上結晶化Si膜は{100}の優先配向を示したことから、PS層からのエピタキシャル成長誘起が示唆された。
- 2012-04-20
著者
-
東 清一郎
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
池田 弥央
広大院先端研
-
池田 弥央
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
東 清一郎
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
藤田 悠二
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
林 将平
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
松原 良平
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
池田 弥央
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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