3.1 熱プラズマによるアモルファスシリコンの結晶化(3.結晶化・相変化制御への応用,熱流を伴う反応性プラズマを用いた材料合成プロセス)
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概要
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熱プラズマジェット照射急速熱処理により,ガラス基板上のアモルファスシリコン(a-Si)薄膜をミリ秒で結晶化する技術を開発した.レーザーを用いた非接触温度測定から,相変化は1220K程度の温度においては0.6ms以内に起こっており,固相結晶化が主たる結晶化過程であることが明らかになった.結晶化したSi膜のダングリングボンドに起因するスピン密度は2.3×10^<17>cm^<-3>の低い値となり,良質の多結晶Si膜が得られる.これをチャネルとして作製したn型薄膜トランジスタは電界効果移動度75cm^2V^<-1>s^<-1>,しきい値電圧2.9Vの良好な電気特性を示し,本結晶化技術が半導体デバイス作製に適用可能なプロセス技術として高い可能性を有することが明らかになった.
- 社団法人プラズマ・核融合学会の論文
- 2009-03-25
著者
-
宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
東 清一郎
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
宮崎 誠一
広大院先端研
-
宮崎 誠一
広大
-
宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
東 清一郎
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
宮崎 誠一
広島大学大学院
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