宮崎 誠一 | 広島大学大学院先端物質科学研究科

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概要

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関連著者

• 宮崎 誠一

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 宮崎 誠一

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 宮崎 誠一

  広島大学大学院

• 東 清一郎

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 東 清一郎

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 宮崎 誠一

  広大院先端研

• 村上 秀樹

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 村上 秀樹

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 大田 晃生

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 宮崎 誠一

  広大

• 大田 晃生

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 牧原 克典

  広大院先端研

• 村上 秀樹

  Department Of Orthopaedic Surgery Kanazawa University School Of Medicine

• 牧原 克典

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 池田 弥央

  広大院先端研

• 牧原 克典

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 池田 弥央

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 池田 弥央

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 奈良 安雄

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 奈良 安雄

  (株)富士通研究所 Ulsi研究部門

• 奈良 安雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 奈良 安雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部

• 中川 博

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 岡田 竜弥

  琉球大学 工学部

• 山田 啓作

  早稲田大学ナノテクノロジー研究所

• 山田 啓作

  筑波大学数理物質科学研究科

• 白石 賢二

  筑波大学

• 川口 恭裕

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 広重 康夫

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 山田 啓作

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 山田 啓作

  早稲田大学:筑波大学

• 知京 豊裕

  物材機構

• 知京 豊裕

  (独)物質・材料研究機構

• 知京 豊裕

  金属材料技術研究所

• 吉永 博路

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 門島 勝

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 岡田 竜弥

  琉球大学工学部

• 知京 豊裕

  (独)物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 白石 賢二

  筑波大学数理物質科学研究科

• 森 大樹

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 宮崎 誠一

  広島大学 工学部

• 青山 敬幸

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 山部 紀久夫

  筑波大学

• 藤岡 知宏

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 門島 勝

  ルネサステクノロジ

• 宮崎 誠一

  名古屋大学大学院工学研究科

• 宮崎 誠一

  名古屋大学 大学院工学研究科

• 山部 紀久夫

  筑波大学数理物質科学研究科

• 知京 豊裕

  物質材料研究機構(NIMS)

• 赤坂 泰志

  東京エレクトロン株式会社

• 鳥居 和功

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 貫目 大介

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 後藤 優太

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 尉 国浜

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 大路 譲

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 岡田 竜弥

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 奥山 一樹

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 東 清二郎

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 鳥居 和功

  日立製作所中央研究所

• 渡部 平司

  大阪大学大学院工学研究科

• 白石 賢二

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 大路 譲

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 大路 譲

  半導体先端テクノロジーズ

• 安部 浩透

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 西谷 純一郎

  広島大学大学院先端物質科学研科

• ダルマ ユディ

  広島大学大学院先端物質科学研科

• 加久 博隆

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 古川 寛章

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 多比良 昌弘

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 大路 譲

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 山田 啓作

  筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST

• 野中 聡

  旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座

• 野中 倫明

  東京都立大塚病院 外科

• 野中 作太郎

  九州電気専門学校

• 上殿 明良

  筑波大数理

• 上殿 明良

  筑波大学電子物理工学系

• 鈴木 良一

  産総研

• 大平 俊行

  産総研

• 上殿 明良

  筑波大学数理物質科学研究科

• 大平 俊行

  産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門

• 鈴木 良一

  産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門

• 大塚 崇

  筑波大学数理物質科学研究科

• 伊東 健一

  筑波大学数理物質科学研究科

• 梅澤 直人

  物質材料研究機構(NIMS)

• 犬宮 誠治

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 神山 聡

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 赤坂 泰志

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 北島 洋

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 有門 経敏

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 蓮沼 隆

  筑波大学電子・物理工学専攻

• 大毛利 健治

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• AHMET P.

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 渡部 平司

  大阪大学

• GREEN M.

  National Institute for Standards and Technology

• 知京 豊裕

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 東 大介

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 松木 武雄

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 中西 敏雄

  東京エレクトロンat Spa開発技術部

• 三浦 真嗣

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 鴻野 真之

  東京エレクトロンAT SPA開発技術部

• 西田 辰夫

  東京エレクトロンAT SPA開発技術部

• 白石 賢二

  筑波大院数物

• 鈴木 良一

  産業技術総合研究所

• 中山 恒義

  北大院工

• 上殿 明良

  筑波大学・物理工学系

• 小埜 芳和

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 佐藤 基之

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 古川 弘和

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 加久 博降

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 杉田 義博

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 中島 清美

  物質材料機構

• 知京 豊裕

  物質材料機構

• 網中 敏夫

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 黒澤 悦男

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 松木 武雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 芝原 健太郎

  広大

• 保坂 公彦

  富士通マイクロエレクトロニクス株式会社

• 保坂 公彦

  富士通研究所

• 蓮沼 隆

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 赤坂 泰志

  (株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 中山 隆史

  千葉大学理学部

• 中岡 高司

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 中村 源治

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 太田 晃生

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 山部 紀久夫

  筑波大学大学院 数理物質科学研究科 電子・物理工学専攻学際物質科学研究センター

• 中島 清美

  物質・材料研究機構

• 北島 洋

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 有門 経敏

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 板東 竜也

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 梅澤 直人

  南カリフォルニア大

• 佐藤 基之

  (株)半導体先端テクノロジーズ (selete)

• 中山 隆史

  千葉大

• 中山 隆史

  千葉大学

• 中山 隆史

  千葉大学理学研究科基盤理学専攻

• 網中 敏夫

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 柴口 拓

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 加久 博隆

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 寄本 拓也

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 知京 豊裕

  物質・材料研究機構

• 知京 豊裕

  物質・材料研究機構ナノマテリアル研/物質研

• 蓮沼 隆

  筑波大学 電子・物理工学専攻

• 宮崎 祐介

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 松本 和也

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 大毛利 健治

  早稲田大学ナノ理工学研究機構

• 三宅 秀治

  エルピーダメモリ株式会社

• 犬宮 誠治

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• Green M.

  National Institute Of Standards And Technology

• 大平 俊行

  産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門

• 芝原 健太郎

  広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所:広島大学大学院先端物質科学研究科

• 青山 敬幸

  富士通研究所

• 米田 賢司

  エルピーダメモリ株式会社 T&D Office, APD Gr.

• 堀川 貢弘

  エルピーダメモリ株式会社 T&D Office, APD Gr.

• 小山 邦明

  エルピーダメモリ株式会社 T&D Office, APD Gr.

• 宗高 勇気

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 芝原 健太郎

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 神山 聡

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 永井 武志

  広島大学大学院・先端物質科学研究科

• CHIKYOW T.

  National Institute of Materials Science

• AHMET P.

  Tokyo Institute of Technology

• 三宅 秀治

  エルピーダメモリ株式会社 T&d Office Apd Gr.

• 三宅 秀治

  エルピーダメモリ(株) Technology & Development Office Research & Development Group

• 堀川 貢弘

  エルピーダメモリ株式会社 T&d Office Apd Gr.

• 小山 邦明

  エルピーダメモリ株式会社 T&d Office Apd Gr.

• Ahmet P.

  物質・材料研究機構

• 大毛利 健治

  早稲田大学ナノ理工学研究機構ナノテクノロジー研究所

• 中山 隆史

  干葉大理

• 上殿 明良

  筑波大学物理工学系

• 松本 和也

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 大平 俊行

  産業技術総合研究所

• 米田 賢司

  エルピーダメモリ株式会社 T&d Office Apd Gr.

• 中山 隆史

  千葉大学理学研究料

• 松井 真史

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 三嶋 健斗

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 西垣 慎吾

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 三嶋 健斗

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 大田 晃生

  広島大学 大学院先端物質科学研究科

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著作論文

• 低速陽電子ビームを用いたhigh-kゲート絶縁膜の空隙の評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 熱酸化および低温プロセスを用いて形成したGeO_2/Ge構造の界面サブオキサイドの光電子分光分析(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• TiO_2/Pt界面の化学結合および電子状態評価(ショートプレゼンテーション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• プラズマCVD SiNx薄膜の深さ方向化学組成および欠陥密度計測(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• 極薄LaO_xからHfO_2/SiO_2層へのLa原子の拡散(ショートプレゼンテーション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 3.1 熱プラズマによるアモルファスシリコンの結晶化(3.結晶化・相変化制御への応用,熱流を伴う反応性プラズマを用いた材料合成プロセス)
• TiAlN/HfSiONゲートスタックにおけるX線光電子分光分析 : Al拡散による実効仕事関数変化の緩和(メタルゲート/High-k絶縁膜スタック,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Ru/HfSiONゲートスタックのバックサイドX線光電子分光分析 : Ruの実効仕事関数変化の起源(メタルゲート/High-k絶縁膜スタック,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• HfSiON/TiNゲートスタックpMOSFETの陰極電子注入絶縁破壊モデルに基づくTDDB寿命予測方法
• 金属/高誘電率絶縁膜ゲートスタックの光電子分光分析
• ミリ秒急速熱処理におけるSiウェハ内温度変化のその場観測(シリコン関連材料の作製と評価)
• メタルゲート/HfSiONゲート絶縁膜ゲートスタックにおけるピニング現象の改善策検討
• AFM/KFMによるSi量子ドット/SiO_2多重集積構造の帯電電荷分布計測(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• Si量子ドットへのB添加が発光特性へ及ぼす影響(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• 金属/Hf系高誘電率絶縁膜界面の統一理論 : ゲート金属の設計指針(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• Hf系絶縁膜中の水素原子の原子レベルの挙動の理論的研究 : ホールを起源とした絶縁破壊のメカニズム(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• Ge MISおよびGe/Metal接合の化学結合状態および電気的特性評価(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• HfO_2/Ge(100)構造における光電子分光分析(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• AFM/KFMによるSi量子ドット/SiO_2多重集積構造の帯電電荷分布計測(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• Si量子ドットへのB添加が発光特性へ及ぼす影響(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• 光電子分光法によるHfO_2/SiONx/Ge(100)スタック構造の熱的安定性評価(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• シリコン量子ドットのフローティングゲートMOSデバイス応用
• SiO_x薄膜の超急速熱処理によるSi結晶形成およびその発光特性評価(シリコン関連材料の作製と評価)
• PドープSi量子ドットのフローティングゲートへの応用,AWAD2006)
• PドープSi量子ドットのフローティングゲートへの応用
• PドープSi量子ドットのフローティングゲートへの応用
• SiO_x薄膜への熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるSiナノ結晶形成とそのフローティングゲートメモリ応用(ナノ材料・プロセス,機能ナノデバイス及び関連技術)
• SiOx薄膜への熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるSiナノ結晶形成とそのフローティングゲートメモリ応用(ナノ材料・プロセス,機能ナノデバイス及び関連技術)
• AFM/ケルビンプローブ法による孤立Siドット中の保持電荷間のクーロン相互作用の検証(Quantum Devices, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
• Si量子ドット立体集積構造の発光ダイオードへの応用(Quantum Devices, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
• AFM/ケルビンプローブ法による孤立Siドット中の保持電荷間のクーロン相互作用の検証(Quantum Devices, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
• Si量子ドット立体集積構造の発光ダイオードへの応用(Quantum Devices, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
• 熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理及びポストメタライゼーションアニールを用いた高品質SiO_2膜及びSiO_2/Si界面の形成(シリコン関連材料の作製と評価)
• シリコン系量子ドットのフローティングゲートMOSデバイス応用
• 光照射下におけるSi量子ドットフローティングゲートMOSキャパシタの電荷注入・放出特性(新型不揮発性メモリ)
• Si量子ドットフローティングゲートMOSFETにおける多段階電子注入(新型不揮発性メモリ)
• 光電子分光法によるAl_2O_3/SiN_x/poly-Siスタック構造における界面反応評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 低温NH_3処理によるHfO_2/Si(100)構造への窒素導入と化学結合状態評価(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• 窒素添加Y_2O_3ゲートスタックにおける化学構造及び電気的特性評価(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• UV-O_3酸化したGe(100)およびSi(100)表面の光電子分光分析(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• NiSi/SiO_2界面近傍の化学結合状態およびNiSi層の実効仕事関数評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• SiO_x薄膜への熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるSiナノ結晶形成とそのフローティングゲートメモリ応用
• SiO_x薄膜への熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるSiナノ結晶形成とそのフローティングゲートメモリ応用
• 金属/GeO_2界面における化学結合状態の光電子分光分析(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Ge(100)表面の極薄TiO_xキャッピングによるHfO_2原子層堆積/熱処理時の界面反応制御(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• RFスパッタ形成したSi酸化膜を用いたMIMキャパシタの抵抗変化特性(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 招待講演 一次元縦積みシリコン系量子ドットの形成と発光ダイオードへの応用 (電子デバイス)
• 招待講演 一次元縦積みシリコン系量子ドットの形成と発光ダイオードへの応用 (電子部品・材料)
• 招待講演 一次元縦積みシリコン系量子ドットの形成と発光ダイオードへの応用 (シリコン材料・デバイス)
• Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッド積層フローティングゲートMOS構造における光励起キャリア移動 (シリコン材料・デバイス)
• Ru/HfSiONゲートスタックのバックサイドX線光電子分光分析 : Ruの実効仕事関数変化の起源

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