赤坂 泰志 | (株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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概要
関連著者
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奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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赤坂 泰志
東京エレクトロン株式会社
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奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部
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鳥居 和功
(株)半導体先端テクノロジーズ
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鳥居 和功
日立製作所中央研究所
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赤坂 泰志
(株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
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宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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山田 啓作
早稲田大学ナノテクノロジー研究所
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知京 豊裕
物材機構
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大毛利 健治
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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AHMET P.
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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GREEN M.
National Institute for Standards and Technology
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知京 豊裕
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構
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松木 武雄
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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中山 恒義
北大院工
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知京 豊裕
金属材料技術研究所
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松木 武雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
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渡部 平司
大阪大学大学院工学研究科
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犬宮 誠治
(株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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大塚 文雄
(株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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白石 賢二
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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中山 隆史
千葉大学理学部
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中岡 高司
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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中村 源治
(株)半導体先端テクノロジーズ
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太田 晃生
広島大学大学院先端物質科学研究科
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山田 啓作
筑波大学数理物質科学研究科
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白石 賢二
筑波大学
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中山 隆史
千葉大
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中山 隆史
千葉大学
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中山 隆史
千葉大学理学研究科基盤理学専攻
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知京 豊裕
物質・材料研究機構
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大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構
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犬宮 誠治
(株)半導体先端テクノロジーズ
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Green M.
National Institute Of Standards And Technology
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構 半導体材料センター
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宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科
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AHMET P.
Tokyo Institute of Technology
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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Ahmet P.
物質・材料研究機構
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大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構ナノテクノロジー研究所
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中山 隆史
干葉大理
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宮崎 誠一
広島大学大学院
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山田 啓作
早稲田大学:筑波大学
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中山 隆史
千葉大学理学研究料
著作論文
- 高電子移動度0.9nm-EOT TaSix/HfSiONゲートスタックの形成(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 金属/Hf系高誘電率絶縁膜界面の統一理論 : ゲート金属の設計指針(先端CMOSデバイス・プロセス技術)