中山 隆史 | 千葉大学理学研究科基盤理学専攻
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概要
関連著者
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中山 隆史
千葉大学理学部
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中山 隆史
千葉大学理学研究科基盤理学専攻
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中山 隆史
千葉大学理学研究料
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中山 隆史
千葉大
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中山 隆史
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中山 隆史
干葉大理
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中山 恒義
北大院工
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白石 賢二
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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五月女 真一
千葉大学理学研究科基盤理学専攻
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五月女 真一
千葉大学理学研究料
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知京 豊裕
物材機構
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構
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知京 豊裕
金属材料技術研究所
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山田 啓作
筑波大学数理物質科学研究科
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桜井 清吾
(株)計算力学研究センター
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白石 賢二
筑波大学
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大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構
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桜井 清吾
千葉大学理学部物理
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構 半導体材料センター
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構ナノテクノロジー研究所
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山田 啓作
早稲田大学:筑波大学
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宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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山田 啓作
早稲田大学ナノテクノロジー研究所
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大毛利 健治
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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AHMET P.
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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GREEN M.
National Institute for Standards and Technology
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知京 豊裕
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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松木 武雄
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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赤坂 泰志
東京エレクトロン株式会社
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奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部
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角嶋 邦之
東工大総理工
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岩井 洋
東工大フロンティア研
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白石 賢二
筑波大院数物
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岩井 洋
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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鳥居 和功
(株)半導体先端テクノロジーズ
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知京 豊裕
物質材料機構
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鳥居 和功
日立製作所中央研究所
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渡部 平司
大阪大学大学院工学研究科
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中塚 理
名古屋大学
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赤坂 泰志
(株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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中岡 高司
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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中村 源治
(株)半導体先端テクノロジーズ
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太田 晃生
広島大学大学院先端物質科学研究科
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大毛利 健治
早稲田大学
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小日向 恭祐
千葉大学理学研究科基盤理学専攻
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丸田 勇亮
千葉大学理学研究科基盤理学専攻
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知京 豊裕
物質・材料研究機構
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知京 豊裕
物質・材料研究機構ナノマテリアル研/物質研
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財満 鎭明
名古屋大学先端技術共同研究センター
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
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岩井 洋
東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター
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Green M.
National Institute Of Standards And Technology
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小田 将人
和歌山大学
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小田 将人
千葉大学理学部物理
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村山 美佐緒
千葉大学理学部物理学科
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宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科
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CHIKYOW T.
National Institute of Materials Science
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AHMET P.
Tokyo Institute of Technology
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岩井 洋
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
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知京 豊裕
物材機構:comet-nims:科技機構戦略
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Ahmet P.
物質・材料研究機構
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宮崎 誠一
広島大学大学院
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穴釜 剛
東京大学大学院理学系研究科
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飯塚 秀行
千葉大学理学部
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松木 武雄
早稲田大学:jst-crest
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角嶋 邦之
東京工業大学
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町田 義明
千葉大学理学研究料
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岩井 洋
東京工業大学
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財満 鎭明
名古屋大学
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小日向 恭祐
千葉大学理学研究科
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飯塚 秀行
千葉大学理学研究科
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST
著作論文
- 金属/Hf系高誘電率絶縁膜界面の統一理論 : ゲート金属の設計指針(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 金属/Si界面の偏析層によるショットキーバリアの変調 : 第一原理計算による化学的傾向の検討(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 30aYE-4 半導体表面におけるアミノ酸の電子状態変化(表面界面電子物性(金属・有機))(領域9)
- 金属/絶縁体界面の統一理論
- 金属/絶縁体界面の物理 : ショットキーバリアと原子混晶化
- 17pTF-7 シリコン膜成長における塩素誘起積層欠陥の形成過程の研究
- 28aYQ-3 Si(111)表面における塩素の吸着脱離過程 : 第一原理計算による考察その2
- ドープした金属シリサイドの電子構造に関する理論的検討
- 反射率差分光による表面/界面の評価と制御 : Si酸化・InAs ぬれ層の最近のトピック
- 光を使った表面・界面の観測 : -反射率差分光の物理-
- ドープした金属シリサイドの電子構造に関する理論的検討(ショートプレゼンテーション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- ナノコンタクト系の過渡ループ電流の研究(非平衡系の物理-非平衡ゆらぎと集団挙動-,研究会報告)
- ドーピングによるシリサイドの仕事関数の変調 : シリサイドの物理に基づく理論(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))