金属/Si界面の偏析層によるショットキーバリアの変調 : 第一原理計算による化学的傾向の検討(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
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概要
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金属/Si界面に発生する偏析原子層の安定性とショットキーバリア変調の化学的傾向を、偏析原子種をII族からVII族までを変化させることで、第一原理計算により調べた。その結果、族が変化するとショットキーバリアは単調に変化すること、その原因はSiを終端する偏析原子の価電子数に関係すること、Siと電気陰性度が近い原子ほど偏析しやすいことを見出した。
- 2010-06-15
著者
-
中山 恒義
北大院工
-
中山 隆史
千葉大学理学部
-
小日向 恭祐
千葉大学理学研究科基盤理学専攻
-
丸田 勇亮
千葉大学理学研究科基盤理学専攻
-
中山 隆史
千葉大
-
中山 隆史
千葉大学理学研究科基盤理学専攻
-
中山 隆史
千葉大学理学研究料
-
小日向 恭祐
千葉大学理学研究科
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