28a-PS-58 クラスター凝集系における光散乱
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
2a-PS-20 T'結晶のラマン散乱 : 主に2-マグノン散乱
-
2a-PS-20 T'結晶のラマン散乱 : 主に2-マグノン散乱
-
2a-PS-20 T'結晶のラマン散乱 : 主に2-マグノン散乱
-
2a-PS-20 T'結晶のラマン散乱 : 主に2-マグノン散乱
-
23aWJ-9 1次元長距離相関不規則電子系における金属-絶縁体転移(量子細線,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
2a-PS-20 T'結晶のラマン散乱 : 主に2-マグノン散乱
-
2a-PS-20 T'結晶のラマン散乱 : 主に2-マグノン散乱
-
28p-PSA-32 Nd_2CuO_4:Fのラマン散乱
-
2a-PS-20 T'結晶のラマン散乱 : 主に2-マグノン散乱
-
2a-PS-20 T'結晶のラマン散乱 : 主に2-マグノン散乱
-
2a-PS-20 T'結晶のラマン散乱 : 主に2-マグノン散乱
-
2a-PS-20 T'結晶のラマン散乱 : 主に2-マグノン散乱
-
金属/Hf系高誘電率絶縁膜界面の統一理論 : ゲート金属の設計指針(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
-
金属/Si界面の偏析層によるショットキーバリアの変調 : 第一原理計算による化学的傾向の検討(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
-
PF17 格子振動の数値解析法の光導波路への応用(ポスターセッション4-概要講演・展示)
-
31a-PS-43 極低温蒸着Pb薄膜の超伝導-絶縁体転移
-
12p-PSB-63 YBa_2Cu_3O_薄膜のLocal Superconductivity
-
24aPS-102 ファンデルワールス密度汎関数を用いた1次元鎖状有機物質の第一原理計算(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
半導体表面におけるタンパク質の機能制御
-
3P327 半導体からの電荷キャリア注入によるタンパク質の機能制御(バイオエンジニアリング))
-
MBE法を用いたNd_Ce_xCuO_4薄膜の作成とその電気的特性
-
24pYF-9 InN膜中の刃状転位欠陥の電子構造 : 理論的考察(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
-
金属/絶縁体界面の統一理論
-
金属/絶縁体界面の物理 : ショットキーバリアと原子混晶化
-
19aPS-67 双曲平面イジング模型の臨界指数と曲率の効果(領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
-
19aPS-66 正七角スピン格子の二次相転移(領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
-
14aTK-7 量子 kicked rotor の配向制御と分極相関効果(量子カオス・量子力学, 領域 11)
-
21aXC-7 極低温におけるガラスの異常熱物性の微視的起源
-
22pZB-12 分岐高分子系における構造形成と静電相互作用
-
シリカガラスのボソン・ピークとその物理
-
シリカガラスのボソン・ピークとその物理
-
30pYC-6 溶液中の分岐高分子系における構造形成
-
17aYE-7 コロイド溶液におけるクーロン相互作用の効果
-
30pYT-10 コロイド分散系における粒子間相互作用
-
30aPS-16 2次元symplectic系の交流伝導度に現れる低振動数異常
-
23pPSA-53 電解質溶液中における荷電コロイド系の相互作用
-
23pPSA-6 スピン・軌道相互作用を有する2次元不規則電子系の交流伝導特
-
23aSA-2 ランダム磁場下2次元電子系の交流伝導度における量子干渉効果
-
5p-B2-3 ランダム・ボイド・パーコレーションにおける^3He-^4He混合液と^3He準粒子の拡散
-
27a-R-7 アモルファスGeS_2におけるボゾンピークの圧力依存性
-
23pTE-5 孤立系に対する非局所交換相関項の第一原理的計算手法の開発(電子系(密度汎関数法),領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
-
Ab-initio Calculation Method for Electronic Structures of Charged Surfaces Using Repeated Slab and Density-Variable Charge Sheets(Condensed matter: electronic structure and electrical, magnetic, and optical properties)
-
5a-K-9 A Variational Approach to Dynamics Ionic Crystals at High Tempratures
-
Low-Temperature Anomalies of Crystalline Ge With O-Impurities(Condensed Matter : Electronic Structure, Electrical, Magnetic and Optical Properties)
-
3p-PSA-26 パーコレーション反強磁性体の動的構造因子
-
3a-B-11 微細領域での^3He・^4He混合液:サイズ効果とランダムネス
-
4a-M-10 α-Sおよびα一Se結晶内の分子間ポテンシャルと分子内振動におよぼす影響
-
31p-PSA-33 強制振動子法によるKubo-Greenwood公式の計算アルゴリズム
-
ランダム磁場中における2次元電子の局在性 : 強制振動子法によるアプローチ
-
28a-PS-36 強制振動子法による動的相関関数の数値計算:量子スピン系への応用
-
30p-A-12 パーコレーション反強磁性体の動的性質 : 強制振動子法の大規模非対称行列への拡張
-
13p-PSB-39 反強磁性フラクトン : 強制振動子法を用いた大規模シミュレーション
-
27pRH-5 高分子電解質ブラシ系における散逸粒子動力学シミュレーション(27pRH 高分子鎖・ゲル,領域12(ソフトマター物理,化学物理,生物物理))
-
21pXJ-1 荷電高分子ブラシ系に関する計算機シミュレーション(高分子溶液・ゲル,領域12(ソフトマター物理,化学物理,生物物理))
-
27pZD-2 コロイド分散系における分子動力学シミュレーション(コロイド,領域12(ソフトマター物理,化学物理,生物物理))
-
24aZD-5 荷電コロイド系における粒子間相互作用
-
26aP-10 コロイド溶液における粒子間相互作用
-
30p-PSA-62 コロイド粒子系における構造形成
-
28a-PS-58 クラスター凝集系における光散乱
-
31p-PSB-30 クラスター凝集体におけるゾルーゲル転移
-
8a-PS-37 反応律速クラスター・クラスター凝集体の振動ダイナミクス
-
29p-N-3 強く乱れた系における局在励起と非弾性散乱スペクトル
-
臨界波動関数のマルチフラクタル解析--量子ホ-ル系
-
クラスター・クラスター凝集体の振動ダイナミクス
-
パーコレーション格子の非弾性光散乱スペクトル
-
13p-PSB-40 パーコレーション反強磁性体のスピン波フラクトンに関する動的構造因子
-
27p-PSB-30 反強磁性フラクトン励起におけるハイパー・スケーリング則の数値的検証
-
27p-PSB-29 2次元パーコレーション反強磁性体のスピン波フラクトンに関する大規模シミュレーション
-
30a-T-2 量子パーコレーション系の局在指数 : β-関数の数値計算
-
12a-M-12 ねじりを入れた2次元Sine-Gordon格子における分子動力学計算
-
6p-YL-11 ボソン・ピークの起源とその構造モデル
-
25pP-9 ガラスにおけるミクロなバックリングと低エネルギー・ダイナミックス
-
24pT-10 不規則電子系の動的臨界指数に対する有限時間スケーリング解析
-
4a-J-3 大規模行列の固有モード解析 : モード分離に関する判定基準
-
ナノコンタクト系の過渡ループ電流の研究(非平衡系の物理-非平衡ゆらぎと集団挙動-,研究会報告)
-
26p-S-3 ボース・ピーク領域におけるラマン結合定数の周波数依存性
-
26p-S-2 ガラスにおける強局在モードのホッピング伝導
-
31p-PSA-34 アンダーソン転移における交流電気伝導度σ(ω)のスケーリング則
-
6a-YL-10 水の低エネルギー振動スペクトルの新しい解釈
-
フラクタル・ドラムとWeyl-Berry-Lapidus推測
-
12p-PSB-62 Bi_2Sr_2CuO_6単結晶における局在状態
-
27a-PS-8 Nd系酸化物超伝導体のホール係数
-
8p-C-9 S_8,Se_8の原子間結合
-
2p-TC-6 Se,Teにおける原子間結合
-
ドーピングによるシリサイドの仕事関数の変調 : シリサイドの物理に基づく理論(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
-
21aTM-8 3サイト分子架橋系におけるループ電流の過渡特性(21aTM 量子細線・接合系(量子細線・微小接合・ジョセブソン接合),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
21pRA-12 二次元及び三次元パーコレーション反強磁性体におけるフラクトンの動的構造因子の単一特性長解析(21pRA 遍歴磁性・スピングラス,領域3(磁性,磁気共鳴))
-
金属/Si界面の構造乱れによるショットキーバリア変調 : 第一原理計算による理論的検討(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
-
パーコレーション磁性体における反強磁性フラクトン
-
金属/(Si/Ge)界面の構造乱れとSBH変調の関係 : 第一原理計算による理論的検討(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク