金属/Si界面の構造乱れによるショットキーバリア変調 : 第一原理計算による理論的検討(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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金属(Au)/Si(111)界面に構造乱れを形成した際のショットキーバリア変調を、界面近傍の半導体に原子空孔や格子間原子などの乱れを形成することで、第一原理計算により調べた。その結果、原子空孔や格子間原子など点欠陥の乱れは界面近傍に発生しやすいこと、乱れが生じた際の金属準位(MIGS)の半導体への侵入長け界面から5-6層程度で清浄な界面と変わらないこと、原子空孔とAu置換原子によるSBHの変化は殆どないが格子間Si原子や格子間Au原子ではSBHが上昇することが分かった。
- 2011-06-27
著者
-
中山 恒義
北大院工
-
中山 隆史
千葉大学理学部
-
小日向 恭祐
千葉大学理学研究科基盤理学専攻
-
中山 隆史
千葉大
-
中山 隆史
千葉大学
-
中山 隆史
干葉大理
-
中山 隆史
千葉大学理学研究料
-
小日向 恭祐
千葉大学理学研究科
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