25pB05 金属/半導体ヘテロエピ界面における混晶化過程の理論計算(半導体エピ(2),第34回結晶成長国内会議)
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概要
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Atom-mixing processes at metal/semiconductor interfaces are studied for Al/Si and Au/Si systems, by using the first-principles calculations. It is shown that Au atoms can diffuse into Si substrate with a little potential barrier, while Al atoms remain on the Si surface. This difference originates from the difference of electronegativity between Au and Al atoms.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2004-08-25
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