ZnSe/GaAsヘテロエピタキシーにおける欠陥生成のシミュレーション : 成長界面III
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概要
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Monte Carlo crystal growth simulation is performed for heterovalent ZnSe/GaAs epitaxy. It is shown that the valency mismatch between II-VI and III-V compounds induces various defects at the interface.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2000-07-01
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