ZnSe/GaAsヘテロエピタキシーにおける欠陥生成のシミュレーション : 成長界面III

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概要

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• Monte Carlo crystal growth simulation is performed for heterovalent ZnSe/GaAs epitaxy. It is shown that the valency mismatch between II-VI and III-V compounds induces various defects at the interface.

• 日本結晶成長学会の論文
• 2000-07-01

著者

• 中山 隆史

  千葉大・理・物理

• 中山 隆史

  千葉大学理学部

• 中山 隆史

  千葉大

• 中山 隆史

  千葉大学

• 佐野 和亮

  千葉大・理

• 中山 隆史

  千葉大・理

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