中山 隆史 | 千葉大・理
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概要
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NEC・基礎研
著作論文
- 30aYF-11 螺旋対称性を持つ空孔半導体In_2Se_3の電子物性に関する第一原理計算(アンダーソン局在・低次元物質)(領域4)
- 25pPSB-1 InGaNエピタキシャル成長における表面歪みと結晶多形の関係性の解明(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pPSB-75 表面光学応答スペクトルにおける垂直分極効果(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- ZnSe/GaAsヘテロエピタキシーにおける欠陥生成のシミュレーション : 成長界面III
- 28a-G-2 非縮退光による半導体光学スペクトル
- 12p-DD-1 非線形感受率の第一原理からの理論計算III
- 30p-N-1 非線形感受率の第一原理からの理論計算II
- 26a-ZE-9 非線形感受率X^の第一原理からの理論計算
- 29p-X-3 異結晶型半導体超格子の電子構造
- 31p-A-6 酸化物高温超伝導体のバンド構造(主題:酸化物超伝導体-常伝導相の基礎物性を中心として,半導体シンポジウム)
- 29p-LD-2 超薄膜半導体超格子GaAs/AlAsの光吸収スペクトル(半導体)