中山 隆史 | 千葉大院理学研究科

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概要

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著作論文

• 25aYT-9 カゴメ格子の電気伝導における外場依存性(低次元電子系,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 27pYF-5 非平衡グリーン関数を用いたカゴメ格子の電気伝導計算(バリスティック伝導・量子細線・量子カオス)(領域4)
• 21pPSB-17 カゴメ格子の電気伝導特性
• 19pYJ-7 カゴメ型量子ドット列における励起子の数値計算
• 30aYF-11 螺旋対称性を持つ空孔半導体In_2Se_3の電子物性に関する第一原理計算(アンダーソン局在・低次元物質)(領域4)
• 23pPSB-60 ナノコンタクト系を流れる過渡電流におけるナノ分子の複数サイト効果(ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20aRC-1 ナノコンタクト系を流れる過渡電流の緩和過程における電極効果II(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 23pXL-1 ナノコンタクト系を流れる過渡電流の緩和過程における電極効果(23pXL 量子ドット(理論II),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aXH-4 ポジトロニウム-キセノン衝突におけるスピン転換断面積の測定(原子・分子,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 20aXC-1 ポジトロニウム・キセノン衝突におけるスピン軌道相互作用のエネルギー依存(X線・粒子線(陽電子消滅),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 29pPSB-22 表面吸着分子の量子摩擦と近藤効果(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aRJ-10 金属表面に吸着した分子振動子の量子摩擦 : 電子相関の効果(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 24pYF-9 InN膜中の刃状転位欠陥の電子構造 : 理論的考察(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 20aPS-20 水素吸着TiO_2(110)荷電表面における酸素の結合エネルギー変化 : 第一原理計算に基づく検証(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 19pXB-7 InN中における欠陥と歪みの関係(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 25pPSB-1 InGaNエピタキシャル成長における表面歪みと結晶多形の関係性の解明(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aXD-1 荷電表面に対する第一原理計算法の開発 : 電場誘起ガウシアンシート法(24aXD 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 25pPSB-75 表面光学応答スペクトルにおける垂直分極効果(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aYF-1 荷電表面スラブ系の第一原理計算エネルギー補正(密度汎関数法,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 27aWP-8 ルチルTiO_2(110)表面酸素脱離における正孔の効果に関する第一原理計算(表面界面電子物性(半導体・無機))(領域9)
• 17pTF-8 ZnSe/GaAsヘテロ界面における欠陥発生のモンテカルロ・シミュレーション
• 25pWD-4 Si(111)表面における塩素の吸着脱離過程 : 第一原理計算による考察

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