中山 隆史 | 千葉大
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概要
関連著者
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中山 隆史
千葉大
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中山 隆史
千葉大学理学部
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中山 隆史
千葉大学
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中山 恒義
北大院工
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中山 隆史
干葉大理
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中山 隆史
千葉大学理学研究料
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中山 隆史
千葉大学理学研究科基盤理学専攻
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中山 隆史
千葉大理
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小田 将人
和歌山大学
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村山 美佐緒
千葉大学理学部物理学科
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島 弘幸
北大院工
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NAKAYAMA Takashi
Department of Microbiology, Kinki University School of Medicine
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白石 賢二
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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小日向 恭祐
千葉大学理学研究科基盤理学専攻
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島 弘幸
北大院工:カタルーニャ工科大
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Nakayama Takashi
Department Of Biopharmaceutics Graduate School Of Pharmaceutical Sciences Osaka University:crest (co
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Nakayama Takashi
Department Of Biochemistry I Yokohama City University School Of Medicine
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小日向 恭祐
千葉大学理学研究科
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知京 豊裕
物材機構
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構
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知京 豊裕
金属材料技術研究所
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小田 将人
千葉大理
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山田 啓作
筑波大学数理物質科学研究科
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桜井 清吾
(株)計算力学研究センター
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白石 賢二
筑波大学
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大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構
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五月女 真一
千葉大学理学研究科基盤理学専攻
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桜井 清吾
千葉大学理学部物理
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構 半導体材料センター
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村山 美佐緒
電通大
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小野 裕己
東大生研
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坂庭 康仁
北大院工
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構ナノテクノロジー研究所
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飯塚 秀行
千葉大学理学部
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五月女 真一
千葉大学理学研究料
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山田 啓作
早稲田大学:筑波大学
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伊藤 晋一
Kek
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矢久保 考介
北大院・工
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大野 隆央
東大生研
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草部 浩一
阪大基礎工
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宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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山田 啓作
早稲田大学ナノテクノロジー研究所
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大毛利 健治
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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AHMET P.
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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GREEN M.
National Institute for Standards and Technology
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知京 豊裕
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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小田 将人
和歌山大学システム工学部
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松木 武雄
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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伊藤 晋一
物構研
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赤坂 泰志
東京エレクトロン株式会社
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奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部
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角嶋 邦之
東工大総理工
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岩井 洋
東工大フロンティア研
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矢久保 考介
北大院工
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西野 信也
北大院工
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白石 賢二
筑波大院数物
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名取 晃子
電通大電子
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西野 信也
東大・大総セ:jst-crest
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岩井 洋
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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武田 京三郎
早大理工
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中山 隆史
千葉大・理・物理
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Adams M.
RAL
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武田 京三郎
早大先進理工
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鳥居 和功
(株)半導体先端テクノロジーズ
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知京 豊裕
物質材料機構
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鳥居 和功
日立製作所中央研究所
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渡部 平司
大阪大学大学院工学研究科
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中塚 理
名古屋大学
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赤坂 泰志
(株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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中岡 高司
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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中村 源治
(株)半導体先端テクノロジーズ
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太田 晃生
広島大学大学院先端物質科学研究科
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大毛利 健治
早稲田大学
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大野 隆央
物質材料研究機構:東大生産研
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大野 隆央
物材機構:東大生研
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大野 隆央
東大理
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大野 隆央
金属材料技術研究所
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大野 隆央
Ntt基礎研究所
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大野 隆央
物質・材料研究機構計算科学センター
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丸田 勇亮
千葉大学理学研究科基盤理学専攻
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中山 隆史
千葉大院理学研究科
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知京 豊裕
物質・材料研究機構
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知京 豊裕
物質・材料研究機構ナノマテリアル研/物質研
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財満 鎭明
名古屋大学先端技術共同研究センター
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
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板谷 哲
千葉大理
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岩井 洋
東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター
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Green M.
National Institute Of Standards And Technology
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梅林 陽
千葉大学
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小田 将人
干葉大学理学部物理学科
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中山 隆史
干葉大学理学部物理学科
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小田 将人
千葉大学理学部物理
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大野 隆央
東京大学生産技術研究所
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武井 祐樹
千葉大理学
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中山 隆史
千葉大理学
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中山 隆史
千葉大学大学院自然科学研究科
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名取 晃子
電通大
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大野 剛史
電通大
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大野 隆央
物材機構:jst-crest
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KAWAI Maki
Surface Chemistry Laboratory
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宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科
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CHIKYOW T.
National Institute of Materials Science
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AHMET P.
Tokyo Institute of Technology
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小野 裕己
千葉大先進センター
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KAJITA Seiji
Department of Physics, Faculty of Science, Chiba University
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SAKURAI Shogo
Department of Physics, Faculty of Science, Chiba University
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OHMURA Kazuhisa
Department of Physics, Faculty of Science, Chiba University
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AOKI Namiko
Department of Physics, Faculty of Science, Chiba University
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大村 和久
千葉大自然
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佐野 和亮
千葉大・理
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Kajita Seiji
Department Of Physics Faculty Of Science Chiba University:surface Chemistry Lab. Riken (the Institut
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名取 晃子
電気通信大学
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岩井 洋
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
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知京 豊裕
物材機構:comet-nims:科技機構戦略
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Aoki Namiko
Department Of Physics Faculty Of Science Chiba University
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Sakurai Shogo
Department Of Physics Faculty Of Science Chiba University
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中山 恒義
北大 工
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Ahmet P.
物質・材料研究機構
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Kawai Maki
Surface Chemistry Lab. Riken (the Institute Of Physics And Chemistry Research):department Of Advance
-
Ohmura Kazuhisa
Department Of Physics Faculty Of Science Chiba University
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宮崎 誠一
広島大学大学院
-
穴釜 剛
東京大学大学院理学系研究科
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松木 武雄
早稲田大学:jst-crest
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角嶋 邦之
東京工業大学
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町田 義明
千葉大学理学研究料
-
岩井 洋
東京工業大学
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財満 鎭明
名古屋大学
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飯塚 秀行
千葉大学大学院理学研究科
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中山 恒義
北大
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中山 隆史
千葉大学理学研究科
-
飯塚 秀行
千葉大学理学研究科
-
山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST
-
中山 隆史
千葉大・理
著作論文
- 23aWJ-9 1次元長距離相関不規則電子系における金属-絶縁体転移(量子細線,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 29aYD-11 金属光沢有機物集合体の電子構造
- 金属/Hf系高誘電率絶縁膜界面の統一理論 : ゲート金属の設計指針(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 金属/Si界面の偏析層によるショットキーバリアの変調 : 第一原理計算による化学的傾向の検討(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 24aPS-102 ファンデルワールス密度汎関数を用いた1次元鎖状有機物質の第一原理計算(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pB05 金属/半導体ヘテロエピ界面における混晶化過程の理論計算(半導体エピ(2),第34回結晶成長国内会議)
- 半導体表面におけるタンパク質の機能制御
- 3P327 半導体からの電荷キャリア注入によるタンパク質の機能制御(バイオエンジニアリング))
- 2P318 半導体表面におけるタンパク質の触媒活性制御(バイオエンジニアリング)
- 30aYE-4 半導体表面におけるアミノ酸の電子状態変化(表面界面電子物性(金属・有機))(領域9)
- 24pYF-9 InN膜中の刃状転位欠陥の電子構造 : 理論的考察(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 金属/絶縁体界面の統一理論
- 金属/絶縁体界面の物理 : ショットキーバリアと原子混晶化
- 19aPS-67 双曲平面イジング模型の臨界指数と曲率の効果(領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 19aPS-66 正七角スピン格子の二次相転移(領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 17pTF-7 シリコン膜成長における塩素誘起積層欠陥の形成過程の研究
- 28aYQ-3 Si(111)表面における塩素の吸着脱離過程 : 第一原理計算による考察その2
- 25pT-4 Si(111)成長表面におけるAu薄膜のサーファクタント効果
- ドープした金属シリサイドの電子構造に関する理論的検討
- 23pTE-5 孤立系に対する非局所交換相関項の第一原理的計算手法の開発(電子系(密度汎関数法),領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- Ab-initio Calculation Method for Electronic Structures of Charged Surfaces Using Repeated Slab and Density-Variable Charge Sheets(Condensed matter: electronic structure and electrical, magnetic, and optical properties)
- 反射率差分光による表面/界面の評価と制御 : Si酸化・InAs ぬれ層の最近のトピック
- 反射率差分光による表面/界面の評価と制御--Si酸化・InAsぬれ層の最近のトピック
- 解説 反射率差分光は何を見ているのか?-表面・界面構造を理解するための実験と理論
- Electronic Structures and Etching Processes of Chlorinated Si(111) Surfaces
- Raman Spectra Calculation of Ordered-Vacancy Ga_2Se_3 Compounds; Origin of Anisotropy : Condensed Matter: Structure, etc.
- 光を使った表面・界面の観測 : -反射率差分光の物理-
- 24pSB-5 層状構造化合物半導体In_2Se_3におけるラマンスペクトルの数値計算
- ZnSe/GaAsヘテロエピタキシーにおける欠陥生成のシミュレーション : 成長界面III
- 22pT-14 Sio_2/Si界面の光学異方性
- ナノコンタクト系の過渡ループ電流の研究(非平衡系の物理-非平衡ゆらぎと集団挙動-,研究会報告)
- ドーピングによるシリサイドの仕事関数の変調 : シリサイドの物理に基づく理論(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 21aTM-8 3サイト分子架橋系におけるループ電流の過渡特性(21aTM 量子細線・接合系(量子細線・微小接合・ジョセブソン接合),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pRA-12 二次元及び三次元パーコレーション反強磁性体におけるフラクトンの動的構造因子の単一特性長解析(21pRA 遍歴磁性・スピングラス,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 金属/Si界面の構造乱れによるショットキーバリア変調 : 第一原理計算による理論的検討(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- パーコレーション磁性体における反強磁性フラクトン
- 金属/(Si/Ge)界面の構造乱れとSBH変調の関係 : 第一原理計算による理論的検討(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)