白石 賢二 | 筑波大院数物
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
白石 賢二
筑波大院数物
-
白石 賢二
Crest:筑波大数理物質
-
白石 賢二
筑波大学
-
村口 正和
東北大学際センター
-
村口 正和
早大理工
-
村口 正和
東北大学際セ:crest-jst
-
岩田 潤一
筑波大計算センター:crest
-
岩田 潤一
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
-
岩田 潤一
筑波大計科セ
-
高田 幸宏
筑波大院数物
-
野村 晋太郎
筑波大院数物
-
押山 淳
東大物工
-
櫻井 蓉子
筑波大院数物
-
遠藤 哲郎
東北大学際センター
-
白石 賢二
筑波大計科セ
-
野村 晋太郎
筑波大数理物質:ntt物性基礎研
-
山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
櫻井 蓉子
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST
-
山田 啓作
筑波大学数理物質科学研究科
-
小鍋 哲
東理大理
-
大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構
-
大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構ナノテクノロジー研究所
-
遠藤 哲郎
東北大スピントロニクス集積化セ:東北大学際セ:crest-jst
-
小鍋 哲
筑波大物理:筑波大計科セ:CREST-JST
-
宮崎 誠一
広大院先端研
-
白石 賢二
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
牧原 克典
広大院先端研
-
池田 弥央
広大院先端研
-
宮崎 誠一
広大院先端物質科学
-
山田 啓作
早稲田大学:筑波大学
-
小鍋 哲
筑波大院数物
-
奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
-
山田 啓作
早稲田大学ナノテクノロジー研究所
-
奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
-
奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部
-
有川 晃弘
筑波大学数理
-
初貝 安弘
筑波大院数物:CREST-JST
-
初貝 安弘
筑波大院数理
-
初貝 安弘
東大物性研
-
初貝 安弘
東大工物工
-
渡部 平司
大阪大学大学院工学研究科
-
細井 卓治
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
細井 卓治
大阪大学大学院工学研究科
-
Hatsugai Yasuhiro
Department Of Applied Physics Faculty Of Engineering University Of Tokyo
-
Hatsugai Yasuiro
Institute For Solid State Physics University Of Tokyo
-
尹 永択
筑波大物理
-
塩川 太郎
筑波大物理
-
有川 晃弘
東北大スピントロニクス集積化セ
-
山本 貴博
東理大工
-
塩川 太郎
筑波大院数物
-
高田 幸宏
東理大工
-
藤田 弦暉
筑波大院数物
-
村口 正和
東北大工
-
初貝 安弘
筑波大物理
-
白石 賢二
筑波大学数理物質科学研究科
-
知京 豊裕
物材機構
-
押山 淳
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
-
知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構
-
角嶋 邦之
東工大総理工
-
岩井 洋
東工大フロンティア研
-
志村 考功
大阪大学大学院工学研究科
-
岩井 洋
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
-
知京 豊裕
金属材料技術研究所
-
廣瀬 和之
Jaxa宇宙科学研究本部総合研究大学院大学 宇宙科学専攻
-
大毛利 健治
早稲田大学
-
知京 豊裕
物質・材料研究機構ナノマテリアル研/物質研
-
白石 賢二
筑波大学計算科学研究センター
-
岩田 潤一
筑波大学計算科学研究センター
-
小幡 輝明
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
喜多 祐起
大阪大学大学院工学研究科
-
白石 賢二
筑波大学 大学院 数理物質科学研究科
-
知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構 半導体材料センター
-
CHIKYOW T.
National Institute of Materials Science
-
岩井 洋
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
-
知京 豊裕
物材機構:comet-nims:科技機構戦略
-
大毛利 健治
筑波大院数物
-
山田 啓作
筑波大院数物
-
押山 淳
東京大学大学院工学系研究科
-
山部 紀久夫
筑波大学数理物質科学研究科
-
松木 武雄
半導体先端テクノロジーズ(selete)
-
重田 育照
兵庫県立大院生命
-
遠藤 哲郎
東北大学 電気通信研究所
-
斉藤 慎一
日立中研
-
大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
村口 正和
筑波大院数物
-
大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
-
大路 譲
半導体先端テクノロジーズ
-
山部 紀久夫
筑波大学
-
杉田 義博
半導体先端テクノロジーズ
-
宮崎 誠一
広大
-
押山 淳
筑波大計科セ
-
遠藤 哲郎
東北大学 学際科学国際高等研究センター
-
角嶋 邦之
東京工業大学
-
重田 育照
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
重田 育照
兵庫県立大学大学院生命理学研究科
-
岩井 洋
東京工業大学
-
白石 賢二
筑波大計科セ:筑波大院数物:crest-jst
-
大毛利 健治
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
重田 育照
阪大基礎工
-
岡田 晋
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
金光 義彦
京大化研
-
宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
蓮沼 隆
筑波大学電子・物理工学専攻
-
内田 和之
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
-
渡部 平司
大阪大学
-
知京 豊裕
物質・材料研究機構 半導体材料センター
-
太野垣 健
京大化研
-
山田 廉一
東大理
-
細井 卓治
大阪大学
-
遠藤 哲郎
東北大学電気通信研究所
-
岡田 晋
筑波大計科セ:crest
-
足立 哲也
物質・材料研究機構
-
石川 大
半導体先端テクノロジーズ(selete)
-
中山 恒義
北大院工
-
石田 猛
日立製作所 中央研究所
-
渡邉 孝信
早稲田大学工学部
-
宮崎 誠一
広島大学 工学部
-
鎌倉 良成
大阪大学大学院工学研究科
-
鎌倉 良成
大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻:独立行政法人科学技術振興機構 Crest
-
大野 垣健
京大院理
-
白石 賢二
筑波大学物理学系
-
佐藤 基之
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
青山 敬幸
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
知京 豊裕
物質材料機構
-
諸岡 哲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
-
中塚 理
名古屋大学
-
蓮沼 隆
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
山田 廉一
日立製作所・中央研究所
-
中山 隆史
千葉大学理学部
-
中島 清美
物質・材料研究機構
-
石川 恵子
物質・材料研究機構
-
高田 幸宏
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
村口 正和
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
佐藤 基之
(株)半導体先端テクノロジーズ (selete)
-
白石 賢二
筑波大物理
-
中山 隆史
千葉大
-
中山 隆史
千葉大学
-
中山 隆史
千葉大学理学研究科基盤理学専攻
-
網中 敏夫
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
-
白石 賢二
筑波大学・大学院数理物質科学研究科
-
小林 賢司
筑波大学・大学院数理物質科学研究科
-
奥山 裕
日立製作所・中央研究所
-
知京 豊裕
物質・材料研究機構
-
財満 鎭明
名古屋大学先端技術共同研究センター
-
蓮沼 隆
筑波大学 電子・物理工学専攻
-
奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
岩井 洋
東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター
-
重田 育照
兵庫県大院生命
-
ボ*** マウロ
兵庫県大生命
-
押山 淳
筑波大学物理学系・計算物理学研究センター
-
押山 淳
筑波大学物理学系
-
神谷 克政
兵庫県大生命
-
重田 育照
兵庫県大生命
-
白石 賢二
兵庫県大生命
-
押山 淳
兵庫県大生命
-
内田 和之
筑波大計科セ
-
高井 健太郎
筑波大院数理物質
-
押山 淳
筑波大院数理物質
-
岩田 潤一
産業技術総合研究所ナノ機能合成技術プロジェクト研究体研究コンソーシアム(SYNAF AIST)
-
五月女 真一
千葉大学理学研究科基盤理学専攻
-
有川 晃弘
筑波大計算セ
-
太野 垣健
京大院理
-
岩田 潤一
筑波大計算セ
-
宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
大路 譲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
-
佐伯 雅之
大阪大学大学院工学研究科
-
奥 雄大
大阪大学大学院工学研究科
-
有村 拓晃
大阪大学大学院工学研究科
-
北野 尚武
大阪大学大学院工学研究科
-
諸岡 哲
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
-
中山 隆史
干葉大理
-
白石 賢二
筑波大計科セ:jst-crest
-
松木 武雄
早稲田大学:jst-crest
-
五月女 真一
千葉大学理学研究料
-
町田 義明
千葉大学理学研究料
-
神谷 克政
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
財満 鎭明
名古屋大学
-
初貝 安弘
CREST
-
白石 賢二
CREST
-
中山 隆史
千葉大学理学研究料
-
小鍋 哲
CREST-JST
-
野村 晋太郎
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
神岡 武文
早稲田大学ナノ理工学研究機構
-
今井 裕也
早稲田大学理工学術院
-
渡邉 孝信
早稲田大学理工学術院:jst-crest
-
今井 裕也
早稲田大学 理工学術院
-
白石 賢二
筑波大院数物:筑波大計科セ:CREST-JST
-
小鍋 哲
筑波大物理
-
渡邉 孝信
早稲田大学 理工学術院
-
神岡 武文
早稲田大学 理工学術院
-
石田 猛
日立製作所・中央研究所
-
遠藤 哲郎
東北大スピントロニクス集積化センター:東北大工:CREST-JST
-
高田 幸宏
東理大工:CREST-JST
-
白石 賢二
筑波大院数物:筑波大計科センター:CREST-JST
-
村口 正和
東北大工:CREST-JST
-
太野垣 健
京大化研:JSTさきがけ
-
小鍋 哲
筑波大院数物:CREST-JST
-
神谷 克政
筑波大学大学院数理物質科学研究科物理学専攻
著作論文
- 23pGL-2 数nm直径Siナノワイヤに対する大規模第一原理電子状態計算(23pGL ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aHV-13 2次元電子ガス-量子ドット界面における電子トンネル過程に対する微視的考察(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 金属電極とハフニウム系高誘電率ゲート絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構(シリコン関連材料の作製と評価)
- 26aXG-13 光励起下における電子ガス-量子ドット結合系のC-V特性とI-V特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 30pTX-3 電子ガス-量子ドット結合系における電子ダイナミクスII(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 30pTX-2 電子ガス-量子ドット結合系におけるC-V特性およびI-V特性のSweep Rate依存性(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 30pTX-1 電子ガス-量子ドット結合系における電子構造II(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aYF-13 電子ガス-量子ドット結合系におけるC-V特性(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- HfSiON/TiNゲートスタックpMOSFETの陰極電子注入絶縁破壊モデルに基づくTDDB寿命予測方法
- 21aYF-12 電子ガス-量子ドット結合系における電子ダイナミクス(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- Ru-Mo合金を用いた金属/high-k 絶縁膜ゲートスタックの実効仕事関数制御
- 21aYF-11 電子ガス・量子ドット結合系における電子状態(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- SiO_2に埋め込まれたフローティングゲートへの多電子注入機構の提案(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 金属/high-k絶縁膜構造トランジスタにおいて金属結晶が閾値電圧ばらつきに及ぼす影響とその抑制(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- MONOS型メモリの電荷蓄積機構の理論的研究(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 第一原理計算によるIn系窒化物の特異な電子構造の理論的研究(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 第一原理計算によるIn系窒化物の特異な電子構造の理論的研究(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 第一原理計算によるIn系窒化物の特異な電子構造の理論的研究(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 26aYH-11 数nm直径Siナノワイヤに対する大規模第一原理電子状態計算(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 28pVC-2 蛋白質の立体構造・電子状態・生物機能の間の相関関係の研究(28pVC 生物物理,領域12(ソフトマター物理,化学物理,生物物理))
- 21aYF-7 数nmサイズSi量子ドットの大規模第一原理計算(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19pXB-2 Si複空孔欠陥構造に関する大規模第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 25aYH-8 密度汎関数理論に基づくGe/Si(001)界面近傍におけるGe原子空孔の構造(25aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aYF-14 炭素ナノ物質のキャパシタにおける量子効果(23aYF ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
- 第一原理計算によるZrB_2基板上GaNエピタキシャル成長の理論的研究(ナノ構造・エピ成長分科会特集「窒化物半導体エピタキシャル成長における基板の役割」の再考)
- 金属電極/高誘電率絶縁膜界面の物理を中心としたhigh-k/metalゲートスタックの実効仕事関数変調機構の理解(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 極薄シリコン酸化膜におけるストレスリーク電流の物理的起源,AWAD2006)
- 極薄シリコン酸化膜におけるストレスリーク電流の物理的起源
- 極薄シリコン酸化膜におけるストレスリーク電流の物理的起源
- 金属電極とHf系高誘電率絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構
- ドーピングによるシリサイドの仕事関数の変調 : シリサイドの物理に基づく理論(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 25pHD-9 低温におけるSiナノワイヤーの発光特性(25pHD 磁性半導体・量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aHD-7 波束ダイナミクスにおけるスピントランスファートルク(26aHD 微小接合・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22aTM-8 シリコンナノレイヤー中電子正孔液滴発光の膜厚依存性(22aTM 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aTM-2 ハートリーフォック近似によるナノ構造中の電子波束ダイナミックス(21aTM 量子細線・接合系(量子細線・微小接合・ジョセブソン接合),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aTM-1 Suzuki-Trotter法による電子波束ダイナミックスの多体効果(21aTM 量子細線・接合系(量子細線・微小接合・ジョセブソン接合),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22aTM-3 半導体中での波束ダイナミクスの印加電圧依存性(22aTM 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- Siナノワイヤー、ナノレイヤの発光と界面(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 非対称ホーン形状チャネルにおける電流密度の向上 : EMC-MDシミュレーションによる検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 26pCJ-6 Siナノレイヤーの発光寿命の膜厚依存性(26pCJ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pCJ-8 2次元半導体ナノ構造における多電子波束ダイナミクスの検討(26pCJ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aFB-9 ナノ構造中の多電子波束ダイナミクスにおける電子間相互作用の効果(21aFB 量子細線・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aFB-10 一次元非一様ポテンシャル中の波束ダイナミクス(21aFB 量子細線・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26dXQ-3 スピン自由度を考慮した多電子波束ダイナミクスにおける電子間相互作用の効果(26pXQ 量子細線・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pXQ-4 多電子波束を用いた円電流ダイナミクスへの電子間相互作用の効果(26pXQ 量子細線・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))