岩田 潤一 | 筑波大計科セ
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概要
関連著者
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岩田 潤一
筑波大計科セ
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岩田 潤一
東京大学大学院工学系研究科
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矢花 一浩
筑波大計算科学セ
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岩田 潤一
筑波大計算センター:crest
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岩田 潤一
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
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白石 賢二
筑波大院数物
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乙部 智仁
原子力機構
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白石 賢二
Crest:筑波大数理物質
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乙部 智仁
日本原子力研究開発機構関西光科学研究所
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押山 淳
東大物工
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白石 賢二
筑波大計科セ
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乙部 智仁
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小鍋 哲
東理大理
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村口 正和
東北大学際センター
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村口 正和
早大理工
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篠原 康
筑波大数物科
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矢花 一浩
筑波大数理物質:計算セ
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Bertsch G.f.
ワシントン大学
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筑波大学数理
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遠藤 哲郎
東北大スピントロニクス集積化セ:東北大学際セ:crest-jst
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尹 永択
筑波大物理
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塩川 太郎
筑波大物理
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有川 晃弘
東北大スピントロニクス集積化セ
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村口 正和
東北大学際セ:crest-jst
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篠原 康
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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小鍋 哲
筑波大物理:筑波大計科セ:CREST-JST
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高田 幸宏
筑波大院数物
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矢花 一浩
筑波大数物科
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川下 洋輔
筑波大数物科
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岩田 潤一
筑波大学計算科学研究センター
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矢花 一浩
筑波大計科セ
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岩田 潤一
筑波大計算セ
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中務 孝
筑波大計算科セ:理研
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篠原 康
筑波大数物:筑波大シ情工
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矢花 一浩
筑波大数物:筑波大計科セ
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押山 淳
東大院工
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初貝 安弘
筑波大院数理
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初貝 安弘
筑波大物理
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押山 淳
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
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初貝 安弘
東大物性研
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遠藤 哲郎
東北大学際センター
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矢花 一浩
筑波大物理
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初貝 安弘
東大工物工
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白石 賢二
筑波大学計算科学研究センター
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小幡 輝明
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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Hatsugai Yasuhiro
Department Of Applied Physics Faculty Of Engineering University Of Tokyo
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Hatsugai Yasuiro
Institute For Solid State Physics University Of Tokyo
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押山 淳
東京大学大学院工学系研究科
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斎藤 晋
東工大理
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山極 満
日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門
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中務 孝
筑波大計算科セ
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山極 満
原子力機構
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Bertsch G.
University Of Washington
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中務 孝
筑波大計科セ
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赤井 吉郎
東工大理
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岩田 潤一
産総研
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Bertsch G.f.
ワシントン大
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赤井 吉郎
東工大院物性物理
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小鍋 哲
筑波大院数物
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矢花 一浩
筑波大計算セ
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古家 真之介
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
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古家 真之介
東京大学大学院工学系研究科
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中務 孝
筑波大計算セ:理研仁科セ
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古家 真之介
東大院工
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吉村 仁秀
東大工
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三宅 隆
産総研:js-crest
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藤本 義隆
東大物工
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斎藤 晋
東工大・理
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白石 賢二
筑波大学物理学系
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三宅 隆
東工大理
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白石 賢二
筑波大物理
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藤本 義隆
東工大理
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矢花 一浩
筑波大学数理物質科学研究科 計算科学研究センター
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Rubio Angel
Universidad De Valladolid
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押山 淳
筑波大学物理学系・計算物理学研究センター
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押山 淳
東大物工:crest-jst
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押山 淳
筑波大学物理学系
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篠原 康
筑波大学数物科
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川下 洋輔
筑波大学数物科
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押山 淳
筑波大計科セ
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岩田 潤一
産業技術総合研究所ナノ機能合成技術プロジェクト研究体研究コンソーシアム(SYNAF AIST)
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Bertsch G.
Univ. of Washington
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Bertsch Geroge.
ワシントン大
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Bertsch G.
ワシントン大学
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矢花 一浩
筑波大理
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乙部 智仁
筑波大物理
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岩田 潤一
産総研ナノテク
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岩田 潤一
筑波大物理
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斎藤 晋
東京工大
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吉村 仁秀
東大院工
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京極 真也
東大院工
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Bertsch George
ワシントン大
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小鍋 哲
CREST-JST
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Bertsch G.
ワシントン大
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初貝 安弘
東筑波大院数物:CREST-JST
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初貝 安弘
筑波大院数物:CREST-JST
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白石 賢二
東筑波大院数物:筑波大計科セ:CREST-JST
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白石 賢二
筑波大院数物:筑波大計科セ:CREST-JST
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高田 幸宏
東筑波大院数物
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小鍋 哲
東筑波大院数物
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村口 正和
東筑波大院数物
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小鍋 哲
筑波大物理
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小鍋 哲
東筑波大院数物:CREST-JST
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村口 正和
東筑波大院数物:CREST-JST
著作論文
- 23pGL-2 数nm直径Siナノワイヤに対する大規模第一原理電子状態計算(23pGL ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pGP-2 微傾斜SiC(0001)表面上グラフェンの安定構造と電子状態(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aHQ-12 第一原理電子ダイナミクス計算によるコヒーレントフォノン生成機構の解明(20aHQ 超高速現象・量子井戸,領域5(光物性))
- 第一原理計算によるIn系窒化物の特異な電子構造の理論的研究(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 24pRC-11 時間依存密度汎関数理論による半導体コヒーレントフォノン生成の振動数依存性の分析(24pRC 超高速現象,領域5(光物性))
- 第一原理計算によるIn系窒化物の特異な電子構造の理論的研究(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 第一原理計算によるIn系窒化物の特異な電子構造の理論的研究(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 26aYH-11 数nm直径Siナノワイヤに対する大規模第一原理電子状態計算(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27pXB-10 時間依存密度汎関数理論によるコヒーレントフォノン生成機構の解明(超高速現象,領域5,光物性)
- 30pVA-7 時間依存密度汎関数理論によるコヒーレントフォノン生成の記述(30pVA 超高速現象,領域5(光物性))
- 21aYF-7 数nmサイズSi量子ドットの大規模第一原理計算(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19pXB-2 Si複空孔欠陥構造に関する大規模第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 第一原理計算によるZrB_2基板上GaNエピタキシャル成長の理論的研究(ナノ構造・エピ成長分科会特集「窒化物半導体エピタキシャル成長における基板の役割」の再考)
- 23pXB-4 第一原理計算によるSi/Ge膜中の転位の原子・電子構造(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 19aZA-10 電子-イオン系とパルスレーザー場の相互作用の第一原理的記述(超高速現象・非線形光学,領域5,光物性)
- 19aZA-11 強レーザー場によるダイアモンドの誘電破壊の第一原理計算(超高速現象・非線形光学,領域5,光物性)
- 26aWB-10 時間依存密度汎関数法によるバルク固体光応答の実時間シミュレーション(26aWB 超高速現象,領域5(光物性))
- 26aWB-11 強レーザー場による透明素材の絶縁崩壊過程の第一原理計算(26aWB 超高速現象,領域5(光物性))
- 28pRE-9 時間依存密度汎関数法に基づくバルクSiとパルスレーザー場の相互作用の記述(28pRE 超高速現象・非線形光学,領域5(光物性))
- 19pYN-5 時間依存密度汎関数法による励起状態計算(領域10,領域4合同シンポジウム : 電子励起と不純物ダイナミックスのコントロール,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21aXF-6 カイラル型カーボンナノチューブの電子構造 II : 螺旋度依存性の詳細
- 30pZB-3 カイラル型カーボンナノチューブの電子構造
- 29pXB-1 強光子場中における多原子分子のイオン化率の第一原理計算
- 23aTE-12 実時間-実空間法による誘電関数の第一原理計算
- 28aTE-8 実空間密度汎関数法における対称性の利用(28aTE 電子系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 28aTH-8 Si(001)ステップ表面におけるカーボンナノチューブの構造及び電子状態(28aTH ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aTH-7 密度汎関数理論で解明するSiナノワイヤーの断面形状と電子状態の解明(28aTH ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aRB-10 時間依存密度汎関数理論による半金属コヒーレントフォノン生成の記述(21aRB 超高速現象,領域5(光物性))
- 21aTM-2 ハートリーフォック近似によるナノ構造中の電子波束ダイナミックス(21aTM 量子細線・接合系(量子細線・微小接合・ジョセブソン接合),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aTM-1 Suzuki-Trotter法による電子波束ダイナミックスの多体効果(21aTM 量子細線・接合系(量子細線・微小接合・ジョセブソン接合),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22aTM-3 半導体中での波束ダイナミクスの印加電圧依存性(22aTM 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 第一原理計算で探るコヒーレントフォノンの生成機構
- シリコンナノワイヤのシミュレーションとπ-CAVEシステムによる可視化(「戦略分野2 : 新物質・エネルギー創成」より) (特集 京コンピュータが実現する可視化)
- 27pCE-4 半導体ナノ構造における多電子波束ダイナミクスの印加電圧依存性(27pCE 若手奨励賞・量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pCJ-8 2次元半導体ナノ構造における多電子波束ダイナミクスの検討(26pCJ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))