押山 淳 | 東大物工
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概要
関連著者
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押山 淳
東大物工
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白石 賢二
筑波大計科セ
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白石 賢二
筑波大院数物
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岩田 潤一
筑波大計科セ
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岩田 潤一
筑波大計算センター:crest
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白石 賢二
Crest:筑波大数理物質
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岩田 潤一
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
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白石 賢二
筑波大計科セ:筑波大院数物:crest-jst
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白石 賢二
筑波大学物理学系
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押山 淳
筑波大学物理学系・計算物理学研究センター
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押山 淳
筑波大学物理学系
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神谷 克政
兵庫県大生命
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神谷 克政
筑波大学大学院数理物質科学研究科物理学専攻
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押山 淳
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
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岡田 晋
筑波大計科セ:crest
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神谷 克政
兵庫県立大学大学院生命理学研究科ピコバイオロジー研究所タンパク質機能理論研究部門
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押山 淳
東京大学大学院工学系研究科
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白石 賢二
筑波大物理
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白石 賢二
筑波大学計算科学研究センター
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岩田 潤一
筑波大学計算科学研究センター
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小幡 輝明
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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ボ*** マウロ
兵庫県大生命
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押山 淳
筑波大計科セ
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岡田 晋
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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内田 和之
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
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藤本 義隆
東大物工
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藤本 義隆
東工大理
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押山 淳
筑波大物理
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岡田 晋
筑波大学物理学系・計算物理学研究センター
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押山 淳
東大物工:crest-jst
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内田 和之
筑波大計科セ
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岡田 晋
筑波大学物理学系:計算物理学研究センター
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押山 淳
東大院工
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白石 賢二
筑波大学数理物質科学研究科
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梅澤 直人
物質材料研究機構(NIMS)
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斎藤 晋
東工大理
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是常 隆
東工大理
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常行 真司
東京大学大学院理学系研究科
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常行 真司
東大理
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大野 隆央
物材機構計算科学セ
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三宅 隆
産総研:js-crest
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是常 隆
東工大工
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斎藤 晋
東工大工
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三宅 隆
産総研計科
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重田 育照
兵庫県立大院生命
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榎本 雄介
筑波大学物理学系・計算物理学研究センター
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大野 隆央
物材機構(NIMS)計算材料セ
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白石 賢二
NTT物性科学基礎研究所
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大谷 実
産総研
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大野 隆央
物材機構
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ボ*** マウロ
筑波大学計算科学研究センター
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梅澤 直人
南カリフォルニア大
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白石 賢二
筑波大学数理物質科学研究科物質創成先端科学専攻
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白石 賢二
筑波大学
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梅澤 直人
物材機構
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白石 賢二
筑波大学・大学院数理物質科学研究科
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舘野 賢
筑波大
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舘野 賢
筑波大学計算科学研究センター物質生命科学研究部門
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重田 育照
兵庫県大生命
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白石 賢二
兵庫県大生命
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押山 淳
兵庫県大生命
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高井 健太郎
筑波大院数理物質
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押山 淳
筑波大院数理物質
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神谷 克政
筑波大・物理
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Boero Mauro
筑波大・物理
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白石 賢二
筑波大・物理
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押山 淳
筑波大・物理
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神谷 克政
筑波大学・物理学系
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押山 淳
筑波大学・物理学系
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神谷 克政
筑波大学物理学系
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岡野 真也
ACT-JST
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岩田 潤一
産業技術総合研究所ナノ機能合成技術プロジェクト研究体研究コンソーシアム(SYNAF AIST)
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大谷 実
筑波大学物理学系
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舘野 賢
筑波大学
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三宅 隆
東大物性研
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岡野 真也
新潟大院自然
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Saito S
National Institute Of Industrial Health
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神谷 克政
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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重田 育照
大阪大学大学院基礎工学研究科
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重田 育照
兵庫県立大学大学院生命理学研究科
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岩田 潤一
東京大学大学院工学系研究科
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重田 育照
阪大基礎工
著作論文
- 23pGL-2 数nm直径Siナノワイヤに対する大規模第一原理電子状態計算(23pGL ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pXB-5 シリコンとゲルマニウムの四配位新物質(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 15aTB-2 TC-VMC 法による He 原子の励起状態計算(電子系 : 第一原理計算, 領域 11)
- 第一原理計算によるIn系窒化物の特異な電子構造の理論的研究(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 第一原理計算によるIn系窒化物の特異な電子構造の理論的研究(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 第一原理計算によるIn系窒化物の特異な電子構造の理論的研究(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 1SP7-07 シトクローム酸化酵素におけるプロトン移動機構の第一原理計算による解析(1SP7 タンパク質機能の原子レベルの解明 : X線構造、振動分光、分子生物学、理論解析による挑戦,第47回日本生物物理学会年会)
- 26aYH-11 数nm直径Siナノワイヤに対する大規模第一原理電子状態計算(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 28pVC-2 蛋白質の立体構造・電子状態・生物機能の間の相関関係の研究(28pVC 生物物理,領域12(ソフトマター物理,化学物理,生物物理))
- 22aYD-7 金属, 半導体表面における非局在表面状態
- 21aYF-7 数nmサイズSi量子ドットの大規模第一原理計算(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pWB-4 ナノ・キャパシタにおける電荷分極状態の第一原理的な計算手法の開発と量子効果の解析(電子系(密度汎関数法),領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 19pXB-2 Si複空孔欠陥構造に関する大規模第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 25aYH-8 密度汎関数理論に基づくGe/Si(001)界面近傍におけるGe原子空孔の構造(25aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aYF-14 炭素ナノ物質のキャパシタにおける量子効果(23aYF ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
- 2P038 ペプチド結合を介したプロトン移動(蛋白質 B) 構造・機能相関))
- Siダングリングボンドネットワークにおける磁性の理論
- 3SB08 理論計算による蛋白質中での電子、陽子移動(蛋白質場の精密化学)
- 30aWE-5 密度汎関数理論に基づくポリグリシンおよびチトクロム酸化酵素の電子構造(生物理一般)(領域12)
- 20pYE-7 Al および Si 原子鎖のコンダクタンス計算
- 第一原理計算によるZrB_2基板上GaNエピタキシャル成長の理論的研究(ナノ構造・エピ成長分科会特集「窒化物半導体エピタキシャル成長における基板の役割」の再考)
- SiO_2中のB拡散の第一原理計算(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- 23pXB-4 第一原理計算によるSi/Ge膜中の転位の原子・電子構造(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))