SiO_2中のB拡散の第一原理計算(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
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概要
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第一原理電子状態計算を用いて,酸素空孔及び格子間酸素を含むSiO_2中のB原子の安定配置及び拡散機構を明らかにした. SiO_2中でB原子は荷電状態および周りの環境に応じて様々な安定,準安定構造をとる.格子間酸素が存在するSiO_2中ではB原子はO原子と3配位構造をとり安定化する.B原子はSiO_2ネットワークに沿ってボンドの組換えを行いながら拡散する.得られた活性化エネルギーの値は実験値とよく一致している.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-06-20
著者
-
押山 淳
東大物工
-
白石 賢二
筑波大計科セ
-
白石 賢二
筑波大学物理学系
-
大谷 実
産総研
-
押山 淳
筑波大学物理学系・計算物理学研究センター
-
押山 淳
筑波大学物理学系
-
大谷 実
筑波大学物理学系
-
白石 賢二
筑波大計科セ:筑波大院数物:crest-jst
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