23aYF-14 炭素ナノ物質のキャパシタにおける量子効果(23aYF ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2006-08-18

著者

• 岡田 晋

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 内田 和之

  東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻

• 押山 淳

  東大物工

• 白石 賢二

  筑波大院数物

• 白石 賢二

  筑波大計科セ

• 岡田 晋

  筑波大計科セ:crest

• 内田 和之

  筑波大計科セ

• 押山 淳

  筑波大計科セ

• 白石 賢二

  筑波大計科セ:筑波大院数物:crest-jst

関連論文

• 23pGL-2 数nm直径Siナノワイヤに対する大規模第一原理電子状態計算(23pGL ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aHV-13 2次元電子ガス-量子ドット界面における電子トンネル過程に対する微視的考察(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21pGP-10 基板によるグラファイト電子構造変調(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
• 27aRB-12 シリコン結晶中の格子欠陥V_の原子構造と電子構造の第一原理的研究(27aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 制限空間での触媒金属粒子からの単層カーボンナノチューブ生成の分子動力学シミュレーション(熱工学,内燃機関,動力など)
• 金属電極とハフニウム系高誘電率ゲート絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構(シリコン関連材料の作製と評価)
• 20pGS-12 金属表面上の単層カーボンナノチューブの第一原理計算(20pGS ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23pXB-5 シリコンとゲルマニウムの四配位新物質(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aYE-2 ゲートによるグラファイトへの等方的キャリア注入(グラフェン電子物性(物性予測),領域7,分子性固体・有機導体)
• 28aYE-1 折り畳まれたグラフェンの電子構造(グラフェン電子物性(物性予測),領域7,分子性固体・有機導体)
• 27pYE-5 Pt吸着によるグラフェン上のエッジ状態(グラフェン電子物性(形成と評価),領域7,分子性固体・有機導体)
• 22pTA-3 電圧印加による2層グラフェンの再金属化(22pTA 領域7,領域4合同 グラフェン・電子物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26aXG-13 光励起下における電子ガス-量子ドット結合系のC-V特性とI-V特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 30pTX-3 電子ガス-量子ドット結合系における電子ダイナミクスII(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 30pTX-2 電子ガス-量子ドット結合系におけるC-V特性およびI-V特性のSweep Rate依存性(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 30pTX-1 電子ガス-量子ドット結合系における電子構造II(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aYF-13 電子ガス-量子ドット結合系におけるC-V特性(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• HfSiON/TiNゲートスタックpMOSFETの陰極電子注入絶縁破壊モデルに基づくTDDB寿命予測方法
• 29pTE-3 グラファイト表面と白金微粒子との界面相互作用に関する研究(29pTE 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aYH-10 グラフェンナノリボンのキャリアドーピングによる磁性制御(27aYH グラフェン・グラファイト関連,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aTA-8 グラフェン引き裂きにおける原子スケール端構造の安定性 : 分子動力学シミュレーション(21aTA 領域9,領域7合同 グラフェン・グラファイトの形成と評価II,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aRA-11 ナノグラファイトのエネルギー論 : 端形状と電子状態(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
• 24aRA-12 グラフェンリボンに対する電界ドープの第一原理計算(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
• 21aYF-12 電子ガス-量子ドット結合系における電子ダイナミクス(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• Ru-Mo合金を用いた金属/high-k 絶縁膜ゲートスタックの実効仕事関数制御
• 21aYF-11 電子ガス・量子ドット結合系における電子状態(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• SiO_2に埋め込まれたフローティングゲートへの多電子注入機構の提案(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• 金属/high-k絶縁膜構造トランジスタにおいて金属結晶が閾値電圧ばらつきに及ぼす影響とその抑制(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• MONOS型メモリの電荷蓄積機構の理論的研究(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 15aTB-2 TC-VMC 法による He 原子の励起状態計算(電子系 : 第一原理計算, 領域 11)
• 26aRA-7 h-BNの電子構造制御の探索 : NFE状態へのキャリア注入(26aRA 炭素系物質,領域7(分子性固体・有機導体))
• 第一原理計算によるIn系窒化物の特異な電子構造の理論的研究(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 30aRD-9 極低温STS測定によるPt/HOPGの電子状態解析(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pWS-12 金属上の数層グラフェンの第一原理計算(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pPSA-24 h-BNシート中の原子空孔のエネルギー論(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 第一原理計算によるIn系窒化物の特異な電子構造の理論的研究(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 第一原理計算によるIn系窒化物の特異な電子構造の理論的研究(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 1SP7-07 シトクローム酸化酵素におけるプロトン移動機構の第一原理計算による解析(1SP7 タンパク質機能の原子レベルの解明 : X線構造、振動分光、分子生物学、理論解析による挑戦,第47回日本生物物理学会年会)
• 26aYH-11 数nm直径Siナノワイヤに対する大規模第一原理電子状態計算(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 28pVC-2 蛋白質の立体構造・電子状態・生物機能の間の相関関係の研究(28pVC 生物物理,領域12(ソフトマター物理,化学物理,生物物理))
• 30aPS-18 帯電界面の第一原理計算の為のフェルミエネルギー分割法の開発(2)(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-25 帯電界面の第一原理計算の為のフェルミエネルギー分割法の開発(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-164 フェニルジチオール分子群における帯電効果の普遍性と個別性の検討(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 15aPS-58 有機分子フェニルジチオールにおける電子 : 格子相互作用の電子状態計算に基づく研究(領域 9)
• 20pTC-12 βカロテン内包ナノチューブの電子構造(20pTC ナノチューブII,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aYD-7 金属, 半導体表面における非局在表面状態
• 21aYF-7 数nmサイズSi量子ドットの大規模第一原理計算(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pWB-4 ナノ・キャパシタにおける電荷分極状態の第一原理的な計算手法の開発と量子効果の解析(電子系(密度汎関数法),領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 19pXB-2 Si複空孔欠陥構造に関する大規模第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 25aYH-8 密度汎関数理論に基づくGe/Si(001)界面近傍におけるGe原子空孔の構造(25aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aYF-14 炭素ナノ物質のキャパシタにおける量子効果(23aYF ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
• 2P038 ペプチド結合を介したプロトン移動(蛋白質 B) 構造・機能相関))
• Siダングリングボンドネットワークにおける磁性の理論
• 3SB08 理論計算による蛋白質中での電子、陽子移動(蛋白質場の精密化学)
• 30aWE-5 密度汎関数理論に基づくポリグリシンおよびチトクロム酸化酵素の電子構造(生物理一般)(領域12)
• 20pYE-7 Al および Si 原子鎖のコンダクタンス計算
• 第一原理計算によるZrB_2基板上GaNエピタキシャル成長の理論的研究(ナノ構造・エピ成長分科会特集「窒化物半導体エピタキシャル成長における基板の役割」の再考)
• SiO_2中のB拡散の第一原理計算(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
• 金属電極/高誘電率絶縁膜界面の物理を中心としたhigh-k/metalゲートスタックの実効仕事関数変調機構の理解(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 極薄シリコン酸化膜におけるストレスリーク電流の物理的起源,AWAD2006)
• 極薄シリコン酸化膜におけるストレスリーク電流の物理的起源
• 極薄シリコン酸化膜におけるストレスリーク電流の物理的起源
• 24aRA-11 カーボンナノチューブの光吸収における不純物効果(24aRA ナノチューブ2,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aXA-1 ナノ・キャパシタの電気容量における静電遮蔽の効果(21aXA 領域9,領域7合同 ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30aPS-39 SrTiO_3における格子欠陥と光キャリアの相互作用に関する第一原理計算(領域5ポスターセッション)(領域5)
• 22aXC-1 SrTiO_3 のフォトキャリアの性質に関する第一原理計算
• 29aXJ-12 量子常誘電体 SrTiO_3 におけるキャリアドープ効果の第一原理計算
• 19pPSB-19 第一原理計算によるシリコン{130}傾角粒界の界面電子状態の再考
• 27aYC-11 半導体結晶粒界に局在した電子状態に関する理論的考察
• 24aRA-12 一本鎖DNA内包単層カーボンナノチューブの原子構造と電子構造(24aRA ナノチューブ2,領域7(分子性固体・有機導体))
• 30aYH-9 紫外線領域に於ける単層カーボンナノチューブのバンド間遷移(30aYH ナノチューブ光物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23pXB-4 第一原理計算によるSi/Ge膜中の転位の原子・電子構造(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aYE-2 コロネン内包ナノチューブの電子構造(ナノチューブ物性,領域7,分子性固体・有機導体)
• 30pYH-2 炭素ナノワイヤーのエネルギー論(30pYH ナノチューブ構造・欠陥,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20pTC-5 SiO_2表面上に吸着されたナノチューブの電子構造とエネルギー論(20pTC ナノチューブII,領域7(分子性固体・有機導体))
• 25aYB-12 カーボンナノチューブ内氷結晶の構造とエネルギー論(25aYB チューブ構造・物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 金属電極とHf系高誘電率絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構
• ドーピングによるシリサイドの仕事関数の変調 : シリサイドの物理に基づく理論(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 25pHD-9 低温におけるSiナノワイヤーの発光特性(25pHD 磁性半導体・量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pTA-11 金属基板によるグラフェンの電子構造変調(28pTA 領域7,領域9合同 グラフェン(修飾/キャリア・ドープ),領域7(分子性固体・有機導体))
• 28pTA-10 HfO_2表面に吸着したグラフェンの電子構造(28pTA 領域7,領域9合同 グラフェン(修飾/キャリア・ドープ),領域7(分子性固体・有機導体))
• 28pTA-9 Energetics and electronic structures of graphene adsorbed on (0001) surfaces of SiO_2
• 27pTB-2 電界による酸化亜鉛への高濃度キヤリア蓄積状態の第一原理計算(27pTB 領域7,領域8合同 電界効果/発光 トランジスタ,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27pTB-2 電界による酸化亜鉛への高濃度キャリア蓄積状態の第一原理計算(27pTB 領域7,領域8合同 電界効果/発光 トランジスタ,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 24pWB-5 ナノチューブ関連新物質設計の理論(カーボンナノチューブ研究開発における「ブレークスルー」のために今何が必要か?,シンポジウム,領域7,分子性固体・有機導体)
• 26aTG-8 ナノチューブ内空隙を用いた新たなチューブ上物質の物質設計(ナノチューブ(構造・電子状態),領域7,分子性固体・有機導体)
• 21pRA-4 ナノスケール炭素物質の電子状態 : ネットワークと階層構造(若手奨励賞受賞記念講演,領域7,分子性固体・有機導体)
• 20aRJ-7 ナノチューブギャップ状態の欠陥構造依存性(ナノチューブ・理論,領域7,分子性固体・有機導体)
• 23pYB-9 分子内包ナノチューブの理論(23pYB 領域7シンポジウム:複合体化ナノチューブ様物質の可能性(吸着・結合・内包,テンプレート),領域7(分子性固体・有機導体))
• 25aYB-4 高密度原子欠陥を持つナノチューブの欠陥自己修復(25aYB チューブ構造・物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 25pTB-13 高密度光励起下におけるカーボンナノチューブ光学応答の理論的研究(25pTB ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27pTJ-9 シリコン中10原子空孔の電子状態(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 24aTE-5 2次元ポリマー化したコロネンの構造と電子状態(24aTE グラフェン・層間化合物,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aGQ-9 シリコン中10原子空孔の特異な電子構造(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 21pTE-12 電極金属が誘起するグラフェン電子構造の空間的変調(21pTE 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pTG-10 カーボンナノチューブにおける励起子多体効果(21pTG ナノチューブ2,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24pSB-6 微少ねじれ角で積層した2層グラフェンの大規模電子状態計算による解析(24pSB 領域7,領域4合同 グラフェン(構造・物性),領域7(分子性固体・有機導体))
• 18aFE-7 Si(111)面上の√7×√3-インジウム表面のDFT計算による解析(18aFE 表面界面電子物性・表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pXT-7 2層グラフェン系の電子構造(27pXT 領域7,領域4合同シンポジウム:カーボンナノチューブ・グラフェン・原子膜物質の新展開,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pXP-6 十重付加体フラーレンの電子構造(26pXP フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク