SiO_2に埋め込まれたフローティングゲートへの多電子注入機構の提案(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
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概要
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SiO_2中に埋め込まれたマルチ量子ドットから構成されるフローティングゲートへの多電子の同時注入が実験によって報告されている。本実験においては、量子ドットゲートへの電子トンネル注入自体が非常にrareなイベントで秒単位に1度しか起こらないにも関わらず、トンネル注入が生じると複数の電子が同時にマルチ量子ドットゲートに注入される。本件急では反転層に生じた2次元電子ガスを介した波動関数の干渉効果により量子ドット間に相関が5-7nm程度の範囲にわたって生じることを摂動計算によって明らかにした。干渉効果によって生じる量子ドット間の相関が複数電子の同時トンネルの物理的起源である可能性を提案する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-05-31
著者
-
村口 正和
東北大学際センター
-
高田 幸宏
筑波大院数物
-
白石 賢二
筑波大院数物
-
村口 正和
早大理工
-
白石 賢二
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
高田 幸宏
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
村口 正和
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
白石 賢二
Crest:筑波大数理物質
-
村口 正和
東北大学際セ:crest-jst
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