極薄シリコン酸化膜におけるストレスリーク電流の物理的起源,AWAD2006)
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概要
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本論文では、極薄シリコン酸化膜にて発生するストレスリーク現象の物理的起源について述べる。シリコン酸化膜中にトラップされた電子のエネルギー緩和現象を伴うトラップアシスト型2段階トンネル現象に基づいてストレスリーク現象を解析した。その結果、ストレスリーク現象を発現しているシリコン酸化膜中のトラップサイトの特性を解明した。このストレスリーク現象を発現するトラップサイトのシリコン酸化膜中での位置はシリコン酸化膜中での正孔の平均自由工程によって、またトラップサイトでの電子のエネルギー緩和量はシリコン酸化膜における酸素空孔モデルで説明できることを提案する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-06-26
著者
-
白石 賢二
筑波大院数物
-
遠藤 哲郎
東北大学際センター
-
遠藤 哲郎
東北大学 電気通信研究所
-
廣瀬 和之
Jaxa宇宙科学研究本部総合研究大学院大学 宇宙科学専攻
-
白石 賢二
筑波大学 大学院 数理物質科学研究科
-
遠藤 哲郎
東北大学 学際科学国際高等研究センター
-
白石 賢二
Crest:筑波大数理物質
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