粘菌モデルから導出される新しい同期化法の平均化法による解析
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
粘菌モデルから導出される新しい同期化法を用いて相互に結合させた2つのvan der Pol発振器を平均化法により解析する。この同期化法の特徴は特別な非線形結合にあり、その同期範囲は非常に広いことが知られている。しかし、今までその結果はコンピューターシミュレーションのみであった。本研究ではこのシステムを平均化法により平均化方程式で表すことができ、求められる平衡点の安定性を調べることで、解析的に同期範囲が求められることを具体的に明らかにする。また、線形結合と非線形結合の同期範囲を比較し、両者の関係性を明らかにする。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-01-18
著者
-
田中 久陽
電気通信大学 大学院情報システム学研究科
-
遠藤 哲郎
明治大学 理工学部 電子通信工学科
-
遠藤 哲郎
東北大学 電気通信研究所
-
清水 邦康
明治大学
-
清水 邦康
明治大学 理工学部電子通信工学科
-
田中 久暢
電気通信大学
-
遠藤 哲郎
明治大学理工学部電子通信工学科
-
遠藤 哲郎
明治大学理工学部電気電子生命学科
-
田中 久陽
電気通信大学
関連論文
- 東南アジアホタルの同期明滅における実験に忠実なモデル
- IEEE802.11MACプロトコルを用いたマルチホップアドホックネットワークにおける時刻同期過程とその障害の解析(移動情報通信・パーソナル通信)
- IEEE802.11アドホックネットワークにおける時刻同期精度改良手法の比較検討
- C-11-9 部分空乏型および完全空乏型SOI MOSFETの過渡応答
- 相互結合型ニューラルネットワークの結合解放による連想記憶能力について
- ガウス性ノイズ発生用CMOS型PLL FM復調器に関する実験的考察
- A-1-51 CMOS PLLを用いたホワイトノイズ発生に関する考察(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- CMOS PLLを用いたホワイトノイズの発生(生命現象,一般)
- Surrounding Gate Transistor(SGT)型ゲインセルを用いた新しいNAND DRAM(集積エレクトロニクス)
- Buried Gate type SGTフラッシュメモリ
- C-11-8 3 次元構造 Surrounding Gate Transistor (SGT) の下部拡散層形状解析方法の提案
- C-11-4 Buried Gate 型 SGT フラッシュメモリセル
- 同期理論の基礎と応用 数理科学,化学,生命科学から工学まで, Arkady Pikovsky,Michael Rosenblum,Jurgen Kurths(原著), 徳田功(訳), 丸善, 2009-12, A5判, 定価(本体8,800円+税)
- C-11-3 Surrounding Gate Transistor (SGT) DRAM セルのソフトエラー現象の解析
- C-11-4 Double Gate-SOI(DG-SOI)MOSFETのソフトエラーのα粒子入射軌道依存性
- C-11-5 Double Gate-SOI(DG-SOI)MOSFETにおけるソフトエラー現象の解析
- C-11-3 Surrounding Gate Transistor(SGT) DRAMのソフトエラー耐性に関する考察
- A-2-37 非線形結合されたvan der Pol発振器の平均化法による同期解析(A-2.非線形問題,一般講演)
- 非線形結合された二つのvan der Pol発振器の平均化法による同期特性の解析(非線形問題)
- 粘菌モデルから導出される新しい同期化法の平均化法による解析
- 発振器の結合系における2重モード解の分岐現象
- 発振器の結合系における分岐現象 : 非線形性を強めた場合(研究速報)
- 擬似カオスシステムの周期性と計算精度との関係について(通信と非線形特集及び一般)
- 発振器の結合系に見られる遷移ダイナミックスとカオス(非線形問題)
- 発振器の結合系にみられる遷移ダイナミックスとカオス
- NLP2000-37 / NC2000-31 カオスを用いた位相同期回路の引込み範囲の拡大について
- トランジスタ構造の立体化 : 縦型MOSトランジスタの高密度メモリーへの可能性
- ハローインプランテーション技術を用いた30nmゲート長ダブルゲートMOSFETの研究,AWAD2006)
- ハローインプランテーション技術を用いた30nmゲート長ダブルゲートMOSFETの研究
- C-11-6 Stacked-SGT DRAMを用いた2.4F^2メモリセル技術
- C-11-5 Si柱側壁表面の平滑化
- フラッシュメモリ技術
- C-11-6 Floating Channel type SGT(FC-SGT)フラッシュメモリにおけるカップリング比の柱半径依存性
- C-11-4 Multi-Pillar Surrounding Gate 型 MOSキャパシタの試作プロセス
- C-11-3 Surrounding Gate Transistor における基板バイアス効果の拡散層形状依存性
- C-11-1 高電流利用効率を実現したCMOS降圧回路の直流特性
- ULSI用超低消費電力CMOS降圧回路
- A Stacked-Surrounding Gate Transistor(S-SGT)Structured Cellを用いた新しい高密度フラッシュメモリ
- SGTの基板バイアス効果を抑制させる拡散層形状に関する解析
- C-11-6 Surrounding Gate Transistorにおける基板バイアス効果を抑制するためのりソース・ドレインエンジニアリング
- C-11-5 0.4μmMOSプロセス技術を用いたMUlti-Pillar Surrounding Gate型 MOS キャパシタ
- C-11-4 Floating Channel type SGT (FC-SGT)フラッシュメモリにおける書込・消去特性のフローティングゲート膜厚依存性
- C-11-2 超低消費電力降圧回路の試作
- Surrounding Gate Transistor(SGT)における基板バイアス効果を抑制するための新しいソース・ドレインエンジニアリング
- 0.4μmMOSプロセス技術を用いたMulti-Pillar Surrounding Gate型MOSキャパシタ
- 5nm以下の均一なゲート酸化膜形成のためのSiウェハ搬入条件
- 5nm以下の均一なゲート酸化膜形成のためのSiウェア搬入条件
- C-11-10 Double Gate MOSFETの新しい構造と試作プロセスの提案
- C-11-9 超低消費電力を指向したオンチップ用CMOS降圧回路
- C-11-7 高信号を実現する三次元階層型メモリアレイ技術を用いたStacked-SGT DRAM
- C-11-6 Floating Channel type SGT(FC-SGT)フラッシュメモリにおける書込・消去特性の柱半径依存性
- C-11-5 高集積化を実現するFloating Channel type SGT(FC-SGT)Flashメモリセルのビットライン形成法
- 新しい基板コンタクト型パストランジスタ
- 新しい基板コンタクト型パストランジスタを用いた全加算器
- C-12-9 超高電流利用率を実現したULSI用降圧回路
- C-11-12 GHz動作における拡散層 : 拡散層間クロストークの解析
- C-11-11 Multi-Pillar Surrounding Gate Transistorの高速動作に関する解析
- C-11-7 F__-loatingC__-hannel type SGT(FC-SGT)フラッシュメモリにおける消去動作の解析
- C-11-6 Floating Channel type SGT(FC-SGT) Flashメモリセルにおけるフローティングチャネル形成プロセス
- C-11-2 Stacked-SGT DRAMのセルデザインの提案
- C-11-1 低Bit Line容量を実現する三次元階層型メモリアレイ技術を用いたStacked-SGT DRAM
- FLASHメモリ技術動向と将来
- 三次元階層型メモリアレイ技術を用いたStacked-SGT DRAMのアレイ構成及び読み出し方法
- 超低消費電力を指向したULSI用降圧回路
- 理想的なSファクタを実現する完全空乏型Duble-Gate SOI MOSFETのスケーリング理論
- Stacked-SGT DRAMを用いた2.4F^2メモリセル技術
- 高速動作・低消費電力M-SGT試作プロセスの提案
- Floating Channel type SGT (FC-SGT) Flashメモリにおける書込・消去特性の数値的解析
- Floating Channel type SGT (FC-SGT) Flashメモリの試作プロセスの提案
- 均一な厚さの極薄シリコン酸化膜を形成するための酸化炉搬入方法
- 微細MOSFETデバイスの試作に用いる電子線描画に関する研究
- Double Side Quasi-SOI MOSFET
- 非線形ディジタルフィルタを用いた振幅制限付きカオス信号生成器とその応用について
- 電離層電子密度データを用いた地震に伴う電離層擾乱の信号解析
- 概日時計システムにおける多重フィードバックループと同期能力の関係について : ショウジョウバエのインターロックフィードバックモデルにおける位相ダイナミクス
- 概日時計システムにおける多重フィードバックループと同期能力の関係について : ショウジョウバエのインターロックフィードバックモデルにおける位相ダイナミクス
- VLF伝搬異常に対する DFA(Detrended Fluctuation Analysis) 結果について
- VLF伝搬異常に対する DFA(Detrended Fluctuation Analysis) 結果について
- A-2-11 ノイズ耐性のある位相応答曲線推定手法の提案(A-2.非線形問題,一般セッション)
- 引き込みのロバスト性による位相応答曲線の推定手法の提案(一般,機械学習によるバイオデータマインニング・生命現象の非線形性,一般)
- A-2-6 真性粘菌の子実体形成前におけるネットワークダイナミクスについての実験検証(A-2.非線形問題,一般セッション)
- A-2-8 実験データに忠実なホタルの集団明滅モデル(A-2.非線形問題,一般セッション)
- 真性粘菌におけるネットワーク形成能力の電気回路アナロジー
- 真性粘菌におけるネットワーク形成能力の電気回路アナロジー
- B-21-29 IEEE802.11 MACプロトコルによるマルチホップネットワークのタイミング同期(3) : 空間的同期障害の解消方法の提案(B-21.アドホックネットワーク,一般講演)
- B-21-7 IEEE802.11 MACプロトコルによるマルチホップネットワークのタイミング同期(2) : ノードの空間分布に起因する同期障害について(B-21.アドホックネットワーク, 通信2)
- マルチホップセンサーネットワークのタイミング同期(2) : 複数セルの同期における空間パターンの形成
- マルチホップセンサーネットワークのタイミング同期(1) : 2つのセルの同期に要する時間の厳密評価
- マルチホップセンサーネットワークのタイミング同期(2) : 複数セルの同期における空間パターンの形成
- マルチホップセンサーネットワークのタイミング同期(1) : 2つのセルの同期に要する時間の厳密評価
- ABS-2-11 IEEE802.11 MACプロトコルによるマルチホップネットワークのタイミング同期(1) : セルの同期に要する時間の厳密評価(ABS-2. センサネットワーク技術, 基礎・境界)
- ABS-2-11 IEEE802.11 MACプロトコルによるマルチホップネットワークのタイミング同期(1) : セルの同期に要する時間の厳密評価(ABS-2. センサネットワーク技術, 通信2)
- A-107 ニューラルネットワークを用いた非線形IIRフィルタの学習(A-4. ディジタル信号処理,一般講演)
- 802.11マルチホップアドホックネットワークの時刻同期における障害の解消と高速化手法の提案 : 時刻同期過程の空間的障害の解消と高速化手法
- 同期現象の解析に必要な位相方程式の導出アルゴリズムに関する比較検討(非線形問題)
- 位相方程式によるショウジョウバエ概日時計システムの引込同調の解析
- 位相方程式によるショウジョウバエ概日時計システムの引込同調の解析
- アレー型ミリ波ビーム生成回路におけるモードロックの解消法
- アレー型ミリ波ビーム生成回路におけるモードロックの解消法
- 4個の発振器の完全結合系の振動モードの積分多様体理論による解析