ハローインプランテーション技術を用いた30nmゲート長ダブルゲートMOSFETの研究,AWAD2006)
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概要
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本論文は、二次元デバイスシミュレータを用いてハローインプランテーション技術を用いた30nmボディ厚さ30nmゲート長のダブルゲートMOSFETの特性を解析する。ハローインプランテーション技術によって形成される不純物濃度(以下ハロー濃度と略称する。)の変化に対するDG-MOSFETの電気的特性(サブスレッショルドスロープ、しきい値、駆動力そして漏れ電流)の依存性を定量的に示す。この依存関係はハロー濃度が、ボディのポテンシャルに直接影響を与えるためであると説明することができる。また、ボディポテンシャルの制御という観点から、DG-MOSFETにおけるハロー濃度のデザイン技術は、サブスレッショルドスロープの向上、Ion・Ioffの改善、しきい値の調整などそのショートチャネル効果を抑制する上で、重要な技術であることを明らかにする。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-06-26
著者
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