Multi-SGTの高速動作に関する解析
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
本論文ではMulti-Pillar Sorrounding Gate tansistor (M-SGT)の高速動作に関する解析を行った. まず, M-SCTにおけるゲートチャネル間容量と駆動電流の解析式を初めて導出した. この解析式より, M-SGTはその分割数を増加することで高速に動作できることを定量的に明らかにした.
- 1997-08-25
著者
関連論文
- SGTトランジスタを用いたギガビットDRAMの設計
- Surrounding Gate Transistorにおける量子効果を考慮したC-V特性のウェハ面方位依存性(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 強反転領域におけるSGTの移動度増加(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- C-11-5 Surrounding Gate Transistorにおける量子効果を考慮した反転層電子分布(C-11.シリコン材料・デバイス,エレクトロニクス2)
- 強反転領域におけるSGTの移動度増加
- C-11-4 Double-Gate MOSFET における空間電荷密度のシリコン膜厚依存性
- C-11-9 部分空乏型および完全空乏型SOI MOSFETの過渡応答
- フィードバック技術を用いた新しいビットラインダイレクトセンス回路によるフラッシュメモリの高速化(集積エレクトロニクス)
- SGT試作のためのSi柱側壁の犠牲酸化
- SGT試作のためのSi柱側壁の犠牲酸化