フィードバック技術を用いた新しいビットラインダイレクトセンス回路によるフラッシュメモリの高速化(集積エレクトロニクス)
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概要
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本論文では, 高速なフラッシュメモリを実現するための新しいビットラインダイレクトセンス回路を提案する. 本提案のセンス回路はビットラインを充電するトランジスタの駆動力をフィードバック技術により制御する. これによりビットラインを高速に充電することが可能となり, 高速読出しを実現できる. 回路構成が複雑になったにもかかわらず, チップ面積の増加は十分小さく無視できる. またフィードバック系の発振の可能性を解析し, 本提案のセンス回路は安定であることを示した. したがって, 本提案のセンス回路はフラッシュメモリの高速かつ安定な読出し動作を実現できる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-01-01
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