中村 広記 | 東北大学電気通信研究所
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
中村 広記
東北大学電気通信研究所
-
舛岡 富士雄
東北大学電気通信研究所
-
桜庭 弘
東北大学電気通信研究所
-
羽田 秀生
東北大学電気通信研究所
-
坂本 渉
東北大学電気通信研究所
-
遠藤 哲郎
東北大学 電気通信研究所
-
舛岡 富士雄
東北大学 電気通信研究所
-
中村 広記
東北大学 電気通信研究所
-
ペシック イリヤ
東北大学 電気通信研究所
-
桜庭 弘
宮城工業高等専門学校
-
ペシック イリヤ
東北大学電気通信研究所
-
遠藤 哲郎
東北大学電気通信研究所
-
網川 裕之
東北大学電気通信研究所
-
網川 裕之
東北大学 電気通信研究所
-
日高 剛
東北大学電気通信研究所
-
山崎 宏明
東北大学電気通信研究所
-
佐藤 正章
東北大学電気通信研究所
-
桜庭 弘
東北大学 電気通信研究所
-
船木 寿彦
東北大学電気通信研究所
-
日高 剛
東北大学 電気通信研究所
-
遠藤 哲郎
東北大学 学際科学国際高等研究センター
-
門脇 卓也
東北大学電気通信研究所
-
北川 岳之
東北大学電気通信研究所
-
泉田 貴士
東北大学電気通信研究所
-
大津 修平
東北大学電気通信研究所
-
大場 卓也
東北大学電気通信研究所
-
遠藤 哲郎
明治大学理工学部電子通信工学科
著作論文
- Surrounding Gate Transistorにおける量子効果を考慮したC-V特性のウェハ面方位依存性(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 強反転領域におけるSGTの移動度増加(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- C-11-5 Surrounding Gate Transistorにおける量子効果を考慮した反転層電子分布(C-11.シリコン材料・デバイス,エレクトロニクス2)
- 強反転領域におけるSGTの移動度増加
- フィードバック技術を用いた新しいビットラインダイレクトセンス回路によるフラッシュメモリの高速化(集積エレクトロニクス)
- SGT試作のためのSi柱側壁の犠牲酸化
- FC-SGTフラッシュメモリセルのサブスレッショルド特性に関する解析(半導体材料・デバイス)
- C-11-6 完全空乏型と部分空乏型Surrounding Gate Transistorにおける電位と短チャネル閾値電圧の準二次元解析的モデリング(C-11.シリコン材料・デバイス,エレクトロニクス2)
- C-11-4 M-SGTにおけるドレインのセルフアラインコンタクトの形成法(C-11.シリコン材料・デバイス,エレクトロニクス2)
- C-11-3 Buried Gate type SGTの試作プロセス(C-11.シリコン材料・デバイス)
- Surrounding Gate Transistor(SGT)型ゲインセルを用いた新しいNAND DRAM(集積エレクトロニクス)
- C-11-7 高信号を実現する三次元階層型メモリアレイ技術を用いたStacked-SGT DRAM
- 新しい基板コンタクト型パストランジスタ
- 新しい基板コンタクト型パストランジスタを用いた全加算器
- C-11-1 低Bit Line容量を実現する三次元階層型メモリアレイ技術を用いたStacked-SGT DRAM
- 三次元階層型メモリアレイ技術を用いたStacked-SGT DRAMのアレイ構成及び読み出し方法
- C-11-2 SGT試作のためのCl_2/O_2エッチングによるSi柱形成(C-11.シリコン材料・デバイス,一般講演)
- C-12-43 SRL技術を使用したSGT型ゲインセルを用いたNAND DRAM(C-12.集積回路D(メモリ),一般講演)
- C-11-4 二次又は三次ポテンシャル関数を利用するバルクMOSFETにおける電位と短チャネル閾値電圧の準二次元解析モデリング(C-11.シリコン材料・デバイス,一般講演)
- Surrounding Gate Transistorにおける量子効果を考慮したC-V特性のウェハ面方位依存性(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 強反転領域におけるSGTの移動度増加(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- C-11-3 高カップリング比を実現する新しいSurrounding Gate Transistor (SGT) Flash Memory Cellの提案(C-11.シリコン材料・デバイス,エレクトロニクス2)