坂本 渉 | 東北大学電気通信研究所

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概要

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• 坂本 渉

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• 桜庭 弘

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• 舛岡 富士雄

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• 羽田 秀生

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• 中村 広記

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• 桜庭 弘

  宮城工業高等専門学校

• ペシック イリヤ

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• 坂本 渉

  三菱電機(株)ulsi技術開発センター

• 岩本 久

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  三菱電機(株)ulsi技術開発センター

• 安田 憲一

  三菱電機(株)ULSI技術開発センター

• 梶本 武志

  三菱電機(株)ULSI技術開発センター

• 安田 憲一

  三菱電機(株)ulsi開発センター

• 遠藤 哲郎

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• 瀬戸川 潤

  三菱電機(株)ULSI技術開発センター

• 西野 愛子

  三菱電機エンジニアリング(株)LSI設計センター

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著作論文

• Surrounding Gate Transistorにおける量子効果を考慮したC-V特性のウェハ面方位依存性(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 強反転領域におけるSGTの移動度増加(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• C-11-5 Surrounding Gate Transistorにおける量子効果を考慮した反転層電子分布(C-11.シリコン材料・デバイス,エレクトロニクス2)
• 強反転領域におけるSGTの移動度増加
• C-11-4 Double-Gate MOSFET における空間電荷密度のシリコン膜厚依存性
• C-11-9 部分空乏型および完全空乏型SOI MOSFETの過渡応答
• 広い動作周波数を実現するパイプライン制御法
• DDR SDRAMのデータスキュー低減
• Surrounding Gate Transistorにおける量子効果を考慮したC-V特性のウェハ面方位依存性(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 強反転領域におけるSGTの移動度増加(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

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