Surrounding Gate Transistorにおける量子効果を考慮したC-V特性のウェハ面方位依存性(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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本論文では、シリコンウェハ上に円筒形シリコン柱をゲート電極が取り囲むように形成されたSurrounding Gate Transistor(SGT)における電子分布とC-V特性を示している。SGTにおける量子効果を正確に解析するために、我々は有効質量の結晶面方位依存性を考慮した1次元Schrodinger-2次元Poissonの自己無撞着法を用いた。結果として、シリコン柱界面、及びウェハ面方位によってSi-SiO2界面に沿った電子分布、及びC-V特性が変化する事を示すことに成功した。また、SGTの量子効果を考慮したC-V特性のウェハ面方位依存性は、平面型MOSFETの依存性と比較したとき、減少している事も示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-09-20
著者
-
舛岡 富士雄
東北大学電気通信研究所
-
坂本 渉
東北大学電気通信研究所
-
桜庭 弘
宮城工業高等専門学校
-
羽田 秀生
東北大学電気通信研究所
-
ペシック イリヤ
東北大学電気通信研究所
-
中村 広記
東北大学電気通信研究所
-
桜庭 弘
東北大学電気通信研究所
-
ペシック イリヤ
東北大学 電気通信研究所
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