羽田 秀生 | 東北大学電気通信研究所
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概要
関連著者
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桜庭 弘
東北大学電気通信研究所
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舛岡 富士雄
東北大学電気通信研究所
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羽田 秀生
東北大学電気通信研究所
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中村 広記
東北大学電気通信研究所
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坂本 渉
東北大学電気通信研究所
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桜庭 弘
宮城工業高等専門学校
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ペシック イリヤ
東北大学電気通信研究所
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ペシック イリヤ
東北大学 電気通信研究所
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佐藤 正章
東北大学電気通信研究所
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山崎 宏明
東北大学電気通信研究所
著作論文
- Surrounding Gate Transistorにおける量子効果を考慮したC-V特性のウェハ面方位依存性(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 強反転領域におけるSGTの移動度増加(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- C-11-5 Surrounding Gate Transistorにおける量子効果を考慮した反転層電子分布(C-11.シリコン材料・デバイス,エレクトロニクス2)
- 強反転領域におけるSGTの移動度増加
- C-11-6 完全空乏型と部分空乏型Surrounding Gate Transistorにおける電位と短チャネル閾値電圧の準二次元解析的モデリング(C-11.シリコン材料・デバイス,エレクトロニクス2)
- C-11-4 M-SGTにおけるドレインのセルフアラインコンタクトの形成法(C-11.シリコン材料・デバイス,エレクトロニクス2)
- Surrounding Gate Transistorにおける量子効果を考慮したC-V特性のウェハ面方位依存性(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 強反転領域におけるSGTの移動度増加(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)