強反転領域におけるSGTの移動度増加
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概要
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本論文では, SGTの強反転領域における電子移動度が実効垂直電界の緩和により増加することを示した.シリコン柱直径10nmのSGTでは, 反転電荷密度1×10^<-7>C/cm^2のときにプレーナMOSFETに対して電子移動度が53.4%増加した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-05-01
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