Surrounding Gate Transistor(SGT)における基板バイアス効果を抑制するための新しいソース・ドレインエンジニアリング
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概要
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Surrounding Gate Transistor(SGT)におけるI_D-V_G特性のソース・ドレイン(S/D)拡散層の形状依存性について解析した。シリコン柱下部にソース拡散層を形成したConVex diffusion layer type SGT(CV-SGT)では基板バイアス効果が著しく抑制される。この新しいソース・ドレインエンジニアリングによるCV-SGTは今後の高性能SGTの設計にとって非常に重要である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-06-29
著者
-
舛岡 富士雄
東北大学電気通信研究所
-
桜庭 弘
東北大学電気通信研究所
-
遠藤 哲郎
東北大学電気通信研究所
-
西 亮輔
東北大学電気通信研究所
-
鈴木 正彦
東北大学電気通信研究所
-
遠藤 哲郎
東北大学 電気通信研究所
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