西 亮輔 | 東北大学電気通信研究所
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概要
関連著者
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舛岡 富士雄
東北大学電気通信研究所
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桜庭 弘
東北大学電気通信研究所
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西 亮輔
東北大学電気通信研究所
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遠藤 哲郎
東北大学電気通信研究所
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鈴木 正彦
東北大学電気通信研究所
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遠藤 哲郎
東北大学 電気通信研究所
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山本 安衛
東北大学電気通信研究所
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日置 雅和
東北大学電気通信研究所
著作論文
- C-11-2 Partially-Depleted Surrounding Gate Transistor (PD-SGT) のしきい値電圧モデルの提案
- C-11-3 Surrounding Gate Transistor における基板バイアス効果の拡散層形状依存性
- SGTの基板バイアス効果を抑制させる拡散層形状に関する解析
- C-11-6 Surrounding Gate Transistorにおける基板バイアス効果を抑制するためのりソース・ドレインエンジニアリング
- Surrounding Gate Transistor(SGT)における基板バイアス効果を抑制するための新しいソース・ドレインエンジニアリング
- Surrounding Gate Transistor(SGT)における基板バイアス効果を抑制するための新しいソース・ドレインエンジニアリング
- SGTのパンチスルー抑制を指向した凹型ソースSGT