SGTの基板バイアス効果を抑制させる拡散層形状に関する解析
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概要
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本論文ではSurrounding Gate Transistor(SGT)における拡散層形状が基板バイアス効果に与える影響について解析を行う.そして, 基板バイアス効果を著しく抑制できる拡散層構造をもつCV-SGTを示す.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-10-01
著者
-
舛岡 富士雄
東北大学電気通信研究所
-
桜庭 弘
東北大学電気通信研究所
-
遠藤 哲郎
東北大学電気通信研究所
-
西 亮輔
東北大学電気通信研究所
-
鈴木 正彦
東北大学電気通信研究所
-
遠藤 哲郎
東北大学 電気通信研究所
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