Floating Channel Type SGT Flashメモリ
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概要
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本論文ではFloating Channel type Surrounding Gate Transistor (FC-SGT) Flashメモリを提案する. FC-SGT Flashメモリは, チャネル部がフローティングのためにFN電流によるチャネル全面両方向書込み・消去が実現できることを示す. 更にこの書込み・消去動作特性を解析的に定式化する. この解析モデルよりFC-SGT Flashメモリの書込み特性は, 平面型Flashメモリと比べて約2倍の高速性を実現できることを示す.
- 1999-03-25
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