日置 雅和 | 東北大学電気通信研究所
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概要
関連著者
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日置 雅和
東北大学電気通信研究所
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舛岡 富士雄
東北大学電気通信研究所
-
桜庭 弘
東北大学電気通信研究所
-
遠藤 哲郎
東北大学 電気通信研究所
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遠藤 哲郎
東北大学電気通信研究所
-
レンスキ マルクス
東北大学電気通信研究所
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山本 安衛
東北大学電気通信研究所
-
松岡 史宜
東北大学電気通信研究所
-
西 亮輔
東北大学電気通信研究所
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日置 雅和
東北大学 電気通信研究所
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桜庭 弘
東北大学 電気通信研究所
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舛岡 富士雄
東北大学 電気通信研究所
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遠藤 哲郎
明治大学理工学部電子通信工学科
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遠藤 哲郎
東北大学 学際科学国際高等研究センター
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松岡 史宜
東北大学 電気通信研究所
-
レンスキ マルクス
東北大学 電気通信研究所
著作論文
- C-11-2 Partially-Depleted Surrounding Gate Transistor (PD-SGT) のしきい値電圧モデルの提案
- C-11-8 3 次元構造 Surrounding Gate Transistor (SGT) の下部拡散層形状解析方法の提案
- C-11-3 Surrounding Gate Transistor (SGT) DRAM セルのソフトエラー現象の解析
- C-11-4 Double Gate-SOI(DG-SOI)MOSFETのソフトエラーのα粒子入射軌道依存性
- C-11-5 Double Gate-SOI(DG-SOI)MOSFETにおけるソフトエラー現象の解析
- C-11-6 Floating Channel type SGT(FC-SGT)フラッシュメモリにおけるカップリング比の柱半径依存性
- C-11-4 Floating Channel type SGT (FC-SGT)フラッシュメモリにおける書込・消去特性のフローティングゲート膜厚依存性
- C-11-6 Floating Channel type SGT(FC-SGT)フラッシュメモリにおける書込・消去特性の柱半径依存性
- C-11-7 F__-loatingC__-hannel type SGT(FC-SGT)フラッシュメモリにおける消去動作の解析
- Floating Channel type SGT (FC-SGT) Flashメモリにおける書込・消去特性の数値的解析
- SGTのパンチスルー抑制を指向した凹型ソースSGT
- C-11-4 Floating Channel type SGT (FC-SGT) Flashメモリにおける書込・消去動作の解析
- Floating Channel Type SGT Flashメモリ
- Floating Channel Type SGT Flashメモリ