レンスキ マルクス | 東北大学電気通信研究所
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概要
関連著者
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遠藤 哲郎
東北大学 電気通信研究所
-
レンスキ マルクス
東北大学電気通信研究所
-
舛岡 富士雄
東北大学電気通信研究所
-
遠藤 哲郎
東北大学電気通信研究所
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桜庭 弘
東北大学電気通信研究所
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日置 雅和
東北大学電気通信研究所
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木村 康隆
東北大学 電気通信研究所
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岩井 信
東北大学電気通信研究所
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桜庭 弘
東北大学 電気通信研究所
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舛岡 富士雄
東北大学 電気通信研究所
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木村 康隆
東北大学電気通信研究所
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レンスキ マルクス
東北大学 電気通信研究所
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遠藤 哲郎
東北大学 学際科学国際高等研究センター
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日置 雅和
東北大学 電気通信研究所
-
岩井 信
東北大学 電気通信研究所
著作論文
- C-11-6 Floating Channel type SGT(FC-SGT)フラッシュメモリにおけるカップリング比の柱半径依存性
- C-11-4 Floating Channel type SGT (FC-SGT)フラッシュメモリにおける書込・消去特性のフローティングゲート膜厚依存性
- 5nm以下の均一なゲート酸化膜形成のためのSiウェハ搬入条件
- 5nm以下の均一なゲート酸化膜形成のためのSiウェア搬入条件
- C-11-6 Floating Channel type SGT(FC-SGT)フラッシュメモリにおける書込・消去特性の柱半径依存性
- C-11-7 F__-loatingC__-hannel type SGT(FC-SGT)フラッシュメモリにおける消去動作の解析
- Floating Channel type SGT (FC-SGT) Flashメモリにおける書込・消去特性の数値的解析
- 均一な厚さの極薄シリコン酸化膜を形成するための酸化炉搬入方法
- C-11-4 Floating Channel type SGT (FC-SGT) Flashメモリにおける書込・消去動作の解析