舛岡 富士雄 | 東北大学 電気通信研究所
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概要
関連著者
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舛岡 富士雄
東北大学 電気通信研究所
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遠藤 哲郎
東北大学 電気通信研究所
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桜庭 弘
東北大学 電気通信研究所
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遠藤 哲郎
東北大学 学際科学国際高等研究センター
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舛岡 富士雄
東北大学電気通信研究所
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岩井 信
東北大学電気通信研究所
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東北大学 電気通信研究所
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中村 広記
東北大学電気通信研究所
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東北大学 電気通信研究所
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鈴木 正彦
東北大学電気通信研究所
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鈴木 正彦
東北大学 電気通信研究所
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太田 人嗣
東北大学 電気通信研究所
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東北大学電気通信研究所
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日置 雅和
東北大学電気通信研究所
-
日置 雅和
東北大学 電気通信研究所
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レンスキ マルクス
東北大学電気通信研究所
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レンスキ マルクス
東北大学 電気通信研究所
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ペシック イリヤ
東北大学 電気通信研究所
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桜庭 弘
東北大学電気通信研究所
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遠藤 哲郎
東北大学電気通信研究所
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松岡 史宜
東北大学電気通信研究所
-
松岡 史宜
東北大学 電気通信研究所
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須永 和久
東北大学電気通信研究所
-
木村 康隆
東北大学 電気通信研究所
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山下 弘臣
東北大学 電気通信研究所
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須永 和久
東北大学 電気通信研究所
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稗田 克彦
東芝アメリカ電子部品
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渡辺 重佳
株式会社 東芝 研究開発センター
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須之内 一正
株式会社 東芝 研究開発センター
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堀口 文男
株式会社 東芝 半導体事業本部
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大内 和則
株式会社 東芝 研究開発センター
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原 央
株式会社 東芝 研究開発センター
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日高 剛
東北大学 電気通信研究所
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網川 裕之
東北大学 電気通信研究所
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堀口 文男
東芝
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須之内 一正
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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大内 和則
(株)東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
著作論文
- C-11-4 Double Gate-SOI(DG-SOI)MOSFETのソフトエラーのα粒子入射軌道依存性
- C-11-6 Stacked-SGT DRAMを用いた2.4F^2メモリセル技術
- C-11-5 Si柱側壁表面の平滑化
- 0.4μmMOSプロセス技術を用いたMulti-Pillar Surrounding Gate型MOSキャパシタ
- 5nm以下の均一なゲート酸化膜形成のためのSiウェア搬入条件
- C-11-10 Double Gate MOSFETの新しい構造と試作プロセスの提案
- C-11-9 超低消費電力を指向したオンチップ用CMOS降圧回路
- C-11-7 高信号を実現する三次元階層型メモリアレイ技術を用いたStacked-SGT DRAM
- C-11-6 Floating Channel type SGT(FC-SGT)フラッシュメモリにおける書込・消去特性の柱半径依存性
- C-11-5 高集積化を実現するFloating Channel type SGT(FC-SGT)Flashメモリセルのビットライン形成法
- FLASHメモリ技術動向と将来
- 三次元階層型メモリアレイ技術を用いたStacked-SGT DRAMのアレイ構成及び読み出し方法
- TISを用いたギガビットDRAMの設計
- C-11-2 SGT試作のためのCl_2/O_2エッチングによるSi柱形成(C-11.シリコン材料・デバイス,一般講演)
- 0.4μmMOSプロセス技術を用いたMulti-Pillar Surrounding Gate型MOSキャパシタ
- C-12-43 SRL技術を使用したSGT型ゲインセルを用いたNAND DRAM(C-12.集積回路D(メモリ),一般講演)
- C-11-4 二次又は三次ポテンシャル関数を利用するバルクMOSFETにおける電位と短チャネル閾値電圧の準二次元解析モデリング(C-11.シリコン材料・デバイス,一般講演)
- C-11-1 完全空乏型の対称と非対称型Double Gate MOSFETにおける電位特性の準二次元解析モデリング(C-11.シリコン材料・デバイス,一般講演)