網川 裕之 | 東北大学 電気通信研究所

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• 網川 裕之

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著作論文

• SGT試作のためのSi柱側壁の犠牲酸化
• C-11-3 Buried Gate type SGTの試作プロセス(C-11.シリコン材料・デバイス)
• C-11-1 希釈酸化を用いた犠牲酸化の効果
• C-11-2 SGT試作のためのCl_2/O_2エッチングによるSi柱形成(C-11.シリコン材料・デバイス,一般講演)

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