中村 広記 | 東北大学 電気通信研究所
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概要
関連著者
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中村 広記
東北大学電気通信研究所
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舛岡 富士雄
東北大学 電気通信研究所
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東北大学 電気通信研究所
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舛岡 富士雄
東北大学電気通信研究所
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桜庭 弘
東北大学 電気通信研究所
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遠藤 哲郎
東北大学 電気通信研究所
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遠藤 哲郎
東北大学 学際科学国際高等研究センター
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日高 剛
東北大学 電気通信研究所
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網川 裕之
東北大学 電気通信研究所
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ペシック イリヤ
東北大学 電気通信研究所
著作論文
- C-11-7 高信号を実現する三次元階層型メモリアレイ技術を用いたStacked-SGT DRAM
- 三次元階層型メモリアレイ技術を用いたStacked-SGT DRAMのアレイ構成及び読み出し方法
- C-11-2 SGT試作のためのCl_2/O_2エッチングによるSi柱形成(C-11.シリコン材料・デバイス,一般講演)
- C-12-43 SRL技術を使用したSGT型ゲインセルを用いたNAND DRAM(C-12.集積回路D(メモリ),一般講演)
- C-11-4 二次又は三次ポテンシャル関数を利用するバルクMOSFETにおける電位と短チャネル閾値電圧の準二次元解析モデリング(C-11.シリコン材料・デバイス,一般講演)