遠藤 哲郎 | 東北大学 学際科学国際高等研究センター

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概要

• 同名の論文著者
• 東北大学 学際科学国際高等研究センターの論文著者

関連著者

• 遠藤 哲郎

  東北大学 学際科学国際高等研究センター

• 遠藤 哲郎

  東北大学 電気通信研究所

• 舛岡 富士雄

  東北大学 電気通信研究所

• 桜庭 弘

  東北大学 電気通信研究所

• 岩井 信

  東北大学電気通信研究所

• 岩井 信

  東北大学 電気通信研究所

• 羽生 貴弘

  東北大学電気通信研究所

• 大野 英男

  東北大学電気通信研究所

• 大野 英男

  東北大 電気通信研 ナノ・スピン実験施設

• 大野 英男

  東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター

• 舛岡 富士雄

  東北大学電気通信研究所

• 笠井 直記

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 笠井 直記

  日本電気(株)

• 鈴木 正彦

  東北大学電気通信研究所

• 遠藤 哲郎

  東北大学学際科学国際高等研究センター

• 鈴木 正彦

  東北大学 電気通信研究所

• 大野 英男

  東北大学

• 中村 広記

  東北大学電気通信研究所

• 白石 賢二

  筑波大院数物

• 遠藤 哲郎

  東北大学際センター

• 日置 雅和

  東北大学電気通信研究所

• 日置 雅和

  東北大学 電気通信研究所

• 太田 人嗣

  東北大学 電気通信研究所

• レンスキ マルクス

  東北大学電気通信研究所

• 太田 人嗣

  東北大学電気通信研究所

• レンスキ マルクス

  東北大学 電気通信研究所

• 中村 広記

  東北大学 電気通信研究所

• 池田 正二

  東北大学電気通信研究所

• 廣瀬 和之

  Jaxa宇宙科学研究本部総合研究大学院大学 宇宙科学専攻

• 白石 賢二

  筑波大学 大学院 数理物質科学研究科

• 白石 賢二

  Crest:筑波大数理物質

• 遠藤 哲郎

  東北大学大学院工学研究科

• 笠井 直記

  東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター

• 遠藤 哲郎

  東北大学大学院工学研究:東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター:東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター

• 安藤 康夫

  東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻

• 深見 俊輔

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 根橋 竜介

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 本庄 弘明

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 三浦 貞彦

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 杉林 直彦

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 斉藤 信作

  日本電気(株)

• 木下 啓藏

  日本電気(株)

• 崎村 昇

  日本電気株式会社

• 杉林 直彦

  日本電気株式会社

• 根橋 竜介

  日本電気株式会社

• 本庄 弘明

  日本電気株式会社

• 斎藤 信作

  Nec

• 松岡 史宜

  東北大学電気通信研究所

• 石綿 延行

  日本電気株式会社 機能デバイス研究所

• 松岡 史宜

  東北大学 電気通信研究所

• 須永 和久

  東北大学電気通信研究所

• 木村 康隆

  東北大学 電気通信研究所

• 山下 弘臣

  東北大学 電気通信研究所

• 須永 和久

  東北大学 電気通信研究所

• 鈴木 大輔

  東北大学電気通信研究所

• 早川 純

  日立製作所基礎研究所

• 大野 英男

  東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設

• 夏井 雅典

  東北大学電気通信研究所

• 早川 純

  日立製作所 基礎研究所

• 羽生 貴弘

  東北大学

• 長谷川 晴弘

  日立製作所基礎研究所

• 三浦 勝哉

  東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設

• 池田 正二

  東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設

• 遠藤 哲郎

  明治大学理工学部電子通信工学科

• 三浦 勝哉

  東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設:日立製作所基礎研究所

• 石綿 延行

  日本電気株式会社 グリーンイノベーション研究所

• 夏井 雅典

  東北大学電気通信研究所ブレインウェア実験施設

• 大野 英男

  東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設

• 遠藤 哲郎

  東北大学

• 木下 啓蔵

  東北大学

• 辻 幸秀

  日本電気株式会社

• 深見 俊輔

  東北大学

• 齊藤 信作

  日本電気株式会社

• 三浦 貞彦

  日本電気株式会社

• 笠井 直記

  東北大学

• 辻 幸秀

  NECグリーンイノベーション研究所

• 石綿 延行

  日本電気株式会社

• 羽生 貴弘

  東北大学電気通信研究所ブレインウェア実験施設

• 小池 洋紀

  東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター

• 大澤 隆

  東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター

• 安藤 康夫

  東北大学大学院工学研究科

• 深見 俊輔

  NECA:東北大

• 本庄 弘明

  日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所

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著作論文

• C-11-4 Double Gate-SOI(DG-SOI)MOSFETのソフトエラーのα粒子入射軌道依存性
• トランジスタ構造の立体化 : 縦型MOSトランジスタの高密度メモリーへの可能性
• C-11-6 Stacked-SGT DRAMを用いた2.4F^2メモリセル技術
• C-11-5 Si柱側壁表面の平滑化
• 5nm以下の均一なゲート酸化膜形成のためのSiウェア搬入条件
• C-11-10 Double Gate MOSFETの新しい構造と試作プロセスの提案
• C-11-9 超低消費電力を指向したオンチップ用CMOS降圧回路
• C-11-7 高信号を実現する三次元階層型メモリアレイ技術を用いたStacked-SGT DRAM
• C-11-6 Floating Channel type SGT(FC-SGT)フラッシュメモリにおける書込・消去特性の柱半径依存性
• C-11-5 高集積化を実現するFloating Channel type SGT(FC-SGT)Flashメモリセルのビットライン形成法
• FLASHメモリ技術動向と将来
• 三次元階層型メモリアレイ技術を用いたStacked-SGT DRAMのアレイ構成及び読み出し方法
• Beyond CMOSにおけるシリコンテクノロジーのインパクト(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
• 0.4μmMOSプロセス技術を用いたMulti-Pillar Surrounding Gate型MOSキャパシタ
• 依頼講演 Fabrication of a nonvolatile lookup-table circuit chip using magneto/semiconductor-hybrid structure for an immediate-power-up field programmable gate array (集積回路)
• Beyond CMOSにおけるシリコンテクノロジーのインパクト(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
• 極薄シリコン酸化膜におけるストレスリーク電流の物理的起源,AWAD2006)
• 極薄シリコン酸化膜におけるストレスリーク電流の物理的起源
• メモリー階層構造の変化と不揮発性ロジックへの新展開
• 2-2 シリコン不揮発性メモリ技術の限界を突破するスピントルク注入形磁気メモリの最新動向(2.不揮発性メモリ技術の最前線,世界的な競争領域にある最先端デバイス技術)
• 3端子磁壁移動型セルを用いた不揮発性コンテントアドレッサブルメモリ(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• 7 スピントロニクスを用いた集積回路と省エネ社会への貢献(東北から明るい未来を創るICT技術)

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