岩井 信 | 東北大学電気通信研究所
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概要
関連著者
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岩井 信
東北大学電気通信研究所
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遠藤 哲郎
東北大学 電気通信研究所
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舛岡 富士雄
東北大学電気通信研究所
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桜庭 弘
東北大学電気通信研究所
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遠藤 哲郎
東北大学電気通信研究所
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桜庭 弘
東北大学 電気通信研究所
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舛岡 富士雄
東北大学 電気通信研究所
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岩井 信
東北大学 電気通信研究所
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鈴木 正彦
東北大学電気通信研究所
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遠藤 哲郎
東北大学 学際科学国際高等研究センター
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太田 人嗣
東北大学電気通信研究所
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鈴木 正彦
東北大学 電気通信研究所
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太田 人嗣
東北大学 電気通信研究所
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レンスキ マルクス
東北大学電気通信研究所
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木村 康隆
東北大学 電気通信研究所
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遠藤 哲郎
明治大学理工学部電子通信工学科
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木村 康隆
東北大学電気通信研究所
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レンスキ マルクス
東北大学 電気通信研究所
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山下 弘臣
東北大学 電気通信研究所
著作論文
- Buried Gate type SGTフラッシュメモリ
- C-11-4 Buried Gate 型 SGT フラッシュメモリセル
- C-11-6 Stacked-SGT DRAMを用いた2.4F^2メモリセル技術
- C-11-5 Si柱側壁表面の平滑化
- C-11-4 Multi-Pillar Surrounding Gate 型 MOSキャパシタの試作プロセス
- C-11-5 0.4μmMOSプロセス技術を用いたMUlti-Pillar Surrounding Gate型 MOS キャパシタ
- 0.4μmMOSプロセス技術を用いたMulti-Pillar Surrounding Gate型MOSキャパシタ
- 5nm以下の均一なゲート酸化膜形成のためのSiウェハ搬入条件
- 5nm以下の均一なゲート酸化膜形成のためのSiウェア搬入条件
- C-11-10 Double Gate MOSFETの新しい構造と試作プロセスの提案
- C-11-5 高集積化を実現するFloating Channel type SGT(FC-SGT)Flashメモリセルのビットライン形成法
- C-11-6 Floating Channel type SGT(FC-SGT) Flashメモリセルにおけるフローティングチャネル形成プロセス
- Floating Channel type SGT (FC-SGT) Flashメモリの試作プロセスの提案
- 0.4μmMOSプロセス技術を用いたMulti-Pillar Surrounding Gate型MOSキャパシタ