3端子磁壁移動型セルを用いた不揮発性コンテントアドレッサブルメモリ(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
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概要
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3端子磁壁移動型セルを用いた不揮発性コンテントアドレッサブルメモリを開発した。90nmのCMOSプロセスを用いて作製した、16KbのCAMマクロは5nsでサーチ動作できることを実証した。このスピードは、既存のSRAMベースのCAMとほぼ同等である。
- 2012-04-16
著者
-
深見 俊輔
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
根橋 竜介
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
本庄 弘明
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
三浦 貞彦
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
杉林 直彦
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
笠井 直記
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
-
笠井 直記
日本電気(株)
-
斉藤 信作
日本電気(株)
-
木下 啓藏
日本電気(株)
-
崎村 昇
日本電気株式会社
-
杉林 直彦
日本電気株式会社
-
根橋 竜介
日本電気株式会社
-
本庄 弘明
日本電気株式会社
-
斎藤 信作
Nec
-
石綿 延行
日本電気株式会社 機能デバイス研究所
-
大野 英男
東北大学電気通信研究所
-
羽生 貴弘
東北大学
-
大野 英男
東北大 電気通信研 ナノ・スピン実験施設
-
石綿 延行
日本電気株式会社 グリーンイノベーション研究所
-
遠藤 哲郎
東北大学 学際科学国際高等研究センター
-
大野 英男
東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設
-
遠藤 哲郎
東北大学
-
大野 英男
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
-
木下 啓蔵
東北大学
-
辻 幸秀
日本電気株式会社
-
深見 俊輔
東北大学
-
齊藤 信作
日本電気株式会社
-
三浦 貞彦
日本電気株式会社
-
笠井 直記
東北大学
-
辻 幸秀
NECグリーンイノベーション研究所
-
石綿 延行
日本電気株式会社
-
大野 英男
東北大学
-
深見 俊輔
NECA:東北大
-
本庄 弘明
日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所
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