(Ba,Sr)TiO_3(BST)薄膜を用いたギガビットDRAM用キャパシター形成技術
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概要
著者
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笠井 直記
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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笠井 直記
日本電気(株)
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笠井 直記
Nec システムデバイス研
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加藤 芳健
日本電気(株)
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加藤 芳健
日本電気(株)ulsiデバイス開発研究所
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