笠井 直記 | Nec システムデバイス研
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概要
関連著者
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笠井 直記
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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笠井 直記
日本電気(株)
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笠井 直記
Nec システムデバイス研
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杉林 直彦
NECデバイスプラットフォーム研究所
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杉林 直彦
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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根橋 竜介
NECデバイスプラットフォーム研究所
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崎村 昇
NECデバイスプラットフォーム研究所
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本庄 弘明
NECデバイスプラットフォーム研究所
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波田 博光
日本電気(株)
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中島 謙
NEC ULSIデバイス開発研究所
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中島 謙
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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室谷 樹徳
Nec
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成竹 功夫
NEC ULSIデバイス開発研究所
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笠井 直記
NEC ULSIデバイス開発研究所
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小山 邦明
NEC ULSIデバイス開発研究所
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俣野 達哉
エルピーダメモリ
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俣野 達哉
Nec Corp.
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成竹 功夫
日本電気(株)エレクトロンデバイス・システムlsi設計技術本部
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笠井 直記
Nec 先端デバイス開発本部
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崎村 昇
NEC グリーンイノベーション研究所
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笠井 直記
東北大学
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本庄 弘明
日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所
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石綿 延行
Necデバプラ研
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深見 俊輔
NECデバイスプラットフォーム研究所
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鈴木 哲広
NECデバイスプラットフォーム研究所
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永原 聖万
NECデバイスプラットフォーム研究所
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尾崎 康亮
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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齊藤 信作
NECデバイスプラットフォーム研究所
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森 馨
NECデバイスプラットフォーム研究所
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三浦 貞彦
NECデバイスプラットフォーム研究所
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相本 代志治
NEC
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古田 浩一朗
NEC
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波田 博光
NECシリコンシステム研究所
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國尾 武光
NECシリコンシステム研究所
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杉林 直彦
日本電気(株)
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根橋 竜介
日本電気(株)
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崎村 昇
日本電気(株)
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本庄 弘明
日本電気(株)
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斉藤 信作
日本電気(株)
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伊藤 雄一
NECエレクトロニクス(株)
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三浦 貞彦
日本電気(株)
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加藤 有光
日本電気(株)
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森 馨
日本電気(株)
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小林 洋介
NECエレクトロニクス(株)
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大嶋 則和
日本電気(株)
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木下 啓藏
日本電気(株)
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鈴木 哲広
日本電気(株)
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永原 聖万
日本電気(株)
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石綿 延行
日本電気(株)
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末光 克巳
日本電気(株)
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深見 俊輔
日本電気(株)
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崎村 昇
日本電気株式会社
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杉林 直彦
日本電気株式会社
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根橋 竜介
日本電気株式会社
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本庄 弘明
日本電気株式会社
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志村 健一
日本電気株式会社
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笠井 直記
日本電気株式会社
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齋藤 信作
日本電気(株)システムデバイス研究所
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國尾 武光
日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所
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大嶋 則和
Necデバプラ研
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相本 代志治
Necエレクトロニクス株式会社
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斎藤 信作
Nec
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永原 聖万
NEC機能エレクトロニクス研究所
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中島 謙
NEC Corporation
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佐伯 貴範
日本電気株式会社
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杉林 直彦
Nec
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浜田 健彦
NEC ULSIデバイス開発研究所
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加藤 芳健
日本電気(株)
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菅原 寛
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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芝原 健太郎
NEC ULSIデバイス開発研究所
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芝原 健太郎
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所:広島大学大学院先端物質科学研究科
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奥田 高
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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大月 哲也
Nec Corporation
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谷川 高穂
NEC
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國尾 武光
Nec マイクロエレクトロニクス研
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竹島 俊夫
NEC
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俣野 達哉
NEC
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高田 弘
NEC
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藤田 真盛
NEC
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佐伯 貴範
NEC
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相崎 尚昭
NEC
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梯 英一郎
NEC
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益森 勝博
NEC
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竹島 俊夫
NEC ULSIデバイス開発研究所
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山口 弘
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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浜田 健彦
日本電気ULSIデバイス開発研究所
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俣野 達哉
NEC ULSIデバイス開発研究所
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大月 哲也
NEC ULSIデバイス開発研究所
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室谷 樹徳
NEC ULSIデバイス開発研究所
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古賀 洋貴
NEC ULSIデバイス開発研究所
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渡部 博士
NEC ULSIデバイス開発研究所
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小山 邦明
日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所
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藤田 真盛
NEC ULSIデバイス開発研究所
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加藤 芳健
日本電気(株)ulsiデバイス開発研究所
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尾崎 康亮
Necエレクトロニクス株式会社 先端デバイス開発部
-
藤田 真盛
日本電気(株)エレクトロンデバイス・システムlsi設計技術本部
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相崎 尚昭
日本電気
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山本 一郎
日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所
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深見 俊輔
NECA:東北大
著作論文
- MRAMの技術動向、今後の展開、32MbMRAM開発(メモリ技術)
- 混載向け高速MRAMセル技術(新メモリ技術とシステムLSI)
- 多分割アレイ構造を有する30ns 256Mb DRAM
- A 4-level Storage 4Gb DRAM
- (Ba,Sr)TiO_3(BST)薄膜を用いたギガビットDRAM用キャパシター形成技術
- 短チャネルMOSFET特性を評価するための電気的なゲート長測定素子