室谷 樹徳 | Nec
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概要
関連著者
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室谷 樹徳
Nec
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成竹 功夫
日本電気(株)エレクトロンデバイス・システムlsi設計技術本部
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杉林 直彦
NECデバイスプラットフォーム研究所
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NEC ULSIデバイス開発研究所
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Nec
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杉林 直彦
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成竹 功夫
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宇津木 智
NEC・ULSIデバイス開発研究所
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室谷 樹徳
NEC・ULSIデバイス開発研究所
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俣野 達哉
NEC ULSIデバイス開発研究所
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大月 哲也
NEC ULSIデバイス開発研究所
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室谷 樹徳
NEC ULSIデバイス開発研究所
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NEC ULSIデバイス開発研究所
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NECシリコンシステム研究所
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NECシリコンシステム研究所
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波田 博光
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日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所
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Selete
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広大
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広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所:広島大学大学院先端物質科学研究科
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井谷 俊郎
Nec
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谷川 高穂
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Nec マイクロエレクトロニクス研
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俣野 達哉
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NEC
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NEC
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NEC
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NEC
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Nec Ulsiデバイス開発研究所
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日本電気ULSIデバイス開発研究所
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芝原 健太郎
NEC・ULSIデバイス開発研究所
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及川 隆一
NEC・ULSIデバイス開発研究所
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森 秀光
NEC・ULSIデバイス開発研究所
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巌 庄一
NEC・ULSIデバイス開発研究所
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小山 邦明
NEC・ULSIデバイス開発研究所
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福沢 真一
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井谷 俊郎
NEC・ULSIデバイス開発研究所
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笠間 邦彦
NEC・ULSIデバイス開発研究所
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奥田 高
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大屋 秀市
NEC・ULSIデバイス開発研究所
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小川 正毅
NEC・ULSIデバイス開発研究所
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古賀 洋貴
NEC ULSIデバイス開発研究所
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渡部 博士
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金森 宏治
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久宗 義明
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巌 庄ー
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藤田 真盛
NEC ULSIデバイス開発研究所
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藤田 真盛
日本電気(株)エレクトロンデバイス・システムlsi設計技術本部
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相崎 尚昭
日本電気
著作論文
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- ダイナミックビット線ラッチ(DBL)書込み機能を搭載した3.3V単一電源64Mbフラッシュメモリ
- 4Mb無負荷型4トランジスタSRAMマクロのBIST方式(:「LSIシステムの実装・モジュール化, テスト技術, 一般)
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- ファイル応用1GbDRAM
- A 4-level Storage 4Gb DRAM
- DRAMにおけるチップサイズ縮小時のFMM方式の検討
- ファイル用1GビットDRAM (半導体デバイス特集) -- (コンピュ-ティング系システム用デバイス)
- ギガビットDRAM用分離ドライバ型センスアンプとチャージリサイクル法
- 1Gb DRAMにおけるアレイノイズの解析
- DRAMにおけるフレキシブルマルチマクロ方式の効果
- 時分割多値センス方式を用いた4Gb DRAM
- ベ-ルを脱いだ世界初4GビットDRAM--新しい多値回路技術を採用 (特設記事 ISSCC97ダイジェスト--メモリ開発の最新トレンド)